罗姆半导体量产全球首款全SiC功率模块

据报道，罗姆半导体从3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的“全SiC”功率模块。据该公司介绍，这也是世界上全SiC功率模块的首次量产。此次量产的全SiC功率模块的额定电压为1200V，额定电流为100A。分别配备两个SiC肖特基势垒二极管（SBD）和SiCMOSFET。

该全SiC功率模块与传统的配备硅制IGBT等功率元件的功率模块（以下称硅制IGBT模块）相比，电力损耗可降低约85％。另外，可进行100kHz以上的高速开关。与硅制IGBT模块相比，实现了10倍以上的高开关频率。
　　
　　全SiC功率模块的额定电流为100A，通过高速开关和低损耗化，可以取代额定电流为200～400A的硅制IGBT模块。替代400A级别的硅制IGBT模块时，体积可削减约50％。全SiC功率模块的外形尺寸为122mm×46mm×17mm(不包括端子在内)。