韩国RFHIC向外延片供应商SweGaN投资

瑞典林雪平的SweGaN AB与韩国的RFHIC公司建立了战略合作伙伴关系，后者主要设计并制造GaN射频和微波大功率半导体元件及混合模块，应用于无线通信、国防和航空航天、射频能源（工业、科学、医疗）。新协议包括RFHIC未披露的股权投资。两家公司将致力于联合研发和新产品开发。

过去十年来，SweGaN一直致力于开发和生产定制设计的 基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片（基于其独特的QuanFINE生长技术），用于5G电信基础设施、国防雷达、卫星通信、车载充电器、数据中心等应用中的射频和功率器件。

SweGaN表示，通过与RFHIC合作，可获得更多资源，加快市场渗透并实现其业务目标。SweGaN首席执行官兼创始人Jr-Tai Chen表示：“为助力多种应用，并为具有节能意识的世界提高效率，对高性能半导体材料的需求不断增长，新的股权投资将支持SweGaN针对其一流GaN-on-SiC外延片的产能扩大计划，并使其与RFHIC共同开发产品。”

RFHIC指出，与SweGaN的合作伙伴关系以及对其的投资战略旨在加强RFHIC的氮化镓供应链，进一步增强其射频和微波产品在 领域的竞争力。

SweGaN表示，随着5G通信、国防雷达、数据中心等广泛应用的快速发展，市场对大功率、高效率半导体的需求日益增长，SweGaN正通过扩大内部制造产能和研发能力来满足日益增长的需求。与RFHIC建立新的战略合作伙伴关系有望振兴SweGaN在关键地理区域的地位，因为其目标是从传统材料解决方案过渡到GaN半导体。

RFHIC首席技术官兼联合创始人Samuel Cho博士表示：“由于RFHIC为其GaN半导体制定了未来战略，包括加快5G、6G、卫星通信等产品的市场需求，SweGaN用于射频和功率半导体的高性能6英寸GaN外延片（具有出色的高功率效率）非常适合我们的技术路线图，并满足我们对多元氮化镓外延片供应商的需求。”他补充道：“SweGaN独特的外延片开发和制造技术是使氮化镓半导体具备高性能的关键因素，而我们可以利用氮化镓半导体开发出市场日益追捧的4GHz超高频段新产品。”