Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的低侧栅极驱动器

Littelfuse是一家工业技术制造公司，致力于打造可持续、互联和更安全的世界，宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新驱动器专门设计用于驱动工业应用中的 （SiC） MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管 （IGBT）。IX4352NE的主要区别在于其独立的9A拉电流和灌电流输出，可实现定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷稳压器还提供用户可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度并加快关断速度。该驱动器的工作电压范围（VDD - VSS）高达35V，具有出色的灵活性和性能。

IX4352NE的突出特点之一是其内部负电荷泵稳压器，无需外部辅助电源或DC/DC转换器。此特性对于关断SiC MOSFET特别有价值，可节省外部逻辑电平转换器电路通常所需的宝贵空间。逻辑输入与标准TTL或CMOS逻辑电平兼容，进一步增强了节省空间的能力。

主要应用

•车载和车外充电器

•功率因数校正（PFC）

•DC/DC转换器

•电机控制器

•工业电源逆变器

  其卓越的性能使其成为电动汽车、工业、替代能源、智能家居和楼宇自动化市场中要求苛刻的电力电子应用的理想选择。凭借其全面的功能，IX4352NE简化了电路设计，并提供了更高的集成度。内置保护功能，如带软关断灌电流驱动器的去饱和检测（DESAT）、欠压锁定（UVLO）和热关断（TSD），可确保对功率器件和栅极驱动器的保护。集成的漏极开路FAULT输出向微控制器发出故障状态信号，从而增强了安全性和可靠性。此外，IX4352NE节省了宝贵的PCB空间，提高了电路密度，有助于提高整体系统效率。

产品亮点

•安全的DESAT启动的软关断

•具有高阈值精度的热关断

•电荷泵在热关断期间的工作能力

    IX4352NE引脚兼容，能在现有Littelfuse IX4351NE的设计中无缝直接替换，该设计于2020年发布。Littelfuse集成电路事业部（SBU）产品经理June Zhang表示：“IX4352NE通过新的9A灌电流/源极驱动器扩展了我们的低侧栅极驱动器，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。其各种内置保护功能和集成电荷泵提供可调节的负栅极驱动电压，以提高 dV/dt 抗扰度并加快关断速度。因此，它可用于驱动任何SiC MOSFET或功率IGBT，无论是Littelfuse器件还是市场上任何其它类似组件。”