Qorvo新增E1B封装的1200V SiC模块

Qorvo宣布推出四款采用紧凑型E1B封装的1200V SiC模块（两款半桥、两款全桥），RDS(on)最低9.4mΩ。这些模块适用于电动汽车（EV）充电站、储能、工业电源、太阳能等应用。

Qorvo SiC功率产品业务产品线营销总监Ramanan Natarajan表示：“这一新系列中的模块可取代多达四个分立SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持其以更高的开关频率工作，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。”

“对我们的客户来说，这些模块的高效率简化了电源设计流程，让他们能够专注于一个模块的设计、布局、装配、特性分析、认证，而不是众多分立元件。”

以9.4mΩ UHB100SC12E1BC3N为首的四款SiC模块均采用Qorvo的共源共栅配置，旨在最大限度地降低RDS（on）和开关损耗，从而最大限度地提升效率，尤其在软开关应用中。

银烧结芯片贴装将热阻降至0.23°C/W；与“SC”产品型号中的堆叠芯片结构相结合时，其功率循环性能比市场同类SiC功率模块高2倍。Qorvo表示，这些特性有助于提高高度集成SiC功率模块的热性能、可靠性、易用性、功率密度。

Qorvo提供FET-Jet Calculator和QSPICE软件，有助于产品选择和性能仿真。