极低开关损耗的常开SiC JFET

极低开关损耗的常开SiC JFET

功率器件的关键应用包括光伏微型逆变器、SMPS和UPS、电机驱动和感应加热

SemiSouth Laboratories推出SJDP120R340常开SiC trench JFET，与硅MOSFET相比可实现更高的开关速度，大大降低了损耗。
 

SJDP120R340 JFET

这些新器件在1200V额定电压的最大通态电阻为340 mΩ（典型RDSon为270 mΩ），在150℃条件下具有易于并联的正温度系数和非常快的无尾电流开关速度。

 SemiSouth销售总监Dieter Liesabeths解释说：“由于小的片芯尺寸和我们紧凑型的器件设计，新的SJDP120R340常开SiC沟道JFET非常符合成本效益。样品现已提供，批量生产将于2012年第二季度开始，1000只定价数量在7美元以下。”