欧司朗公司硅上InGaN LED芯片试生产

欧司朗公司硅上InGaN LED芯片试生产

欧司朗光电半导体公司的研究人员已经成功制造出蓝色和白色LED高性能原型，其GaN层生长在150mm硅晶圆上。到目前为止，硅可取代普遍使用的蓝宝石衬底，而没有质量损失。已经试生产的新型LED芯片根据实际情况进行了测试，这意味着，欧司朗光电的第一款硅上LED可在短短两年内投放市场。

欧司朗光电半导体公司项目经理Peter Stauss表示：“经过多年的研究，我们的投资已见成效，因为我们已经成功地在硅衬底上优化了氮化镓层的质量，效率和亮度都达到了具有市场竞争力的水平。应力测试表明LED的高品质和耐久性的。”

过去30年，该公司获得了外延工艺的专业知识，为这一具有里程碑意义的新制造技术的发展奠定了基础。德国联邦教育和研究部为作为其“GaNonSi”项目一部分的这些活动提供了资金。这是一项开拓性发展有几个原因。因为其在半导体行业的广泛使用，大晶圆直径的可用性和热性能非常好，硅是一种对未来照明市场具有吸引力和最低成本的选择。

制造的LED硅芯片的质量和性能数据与蓝宝石芯片相仿：采用标准Golden Dragon Plus封装的蓝色UX:3芯片在3.15V条件下的亮度达到634 mW，相当于58％的效率。这些都是在350 mA的

1 mm² 芯片的优秀值。与采用标准外壳传统荧光粉转换器相结合——换句话说——这些白光LED原型350 mA条件下当于140流明，4500 K的效率为127流明/瓦。

Stauss强调：“对于这些普遍应用于照明的LED，组件必须越来越便宜，同时保持相同水平的质量和性能。我们正在开发用于这一目的的新方法和整个技术链，从芯片技术到生产工艺和外壳技术。”

从数学上讲，在150mm大小的晶圆上，今天已可以制造出超过17,000个1 mm² 的LED芯片。研究人员已经在200 mm晶圆上演示了第一个结构。