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A*STAR与Centrotherm建立SiC合作伙伴关系

材料来源：雅时

双方将结合A*STAR微电子研究所的200mm SiC试研发线与Centrotherm的工具，以提高基于SiC的器件的性能和可靠性

A*STAR微电子研究所（IME）和Centrotherm已开始合作，通过结合A*STAR微电子研究所的200mm开放式SiC试研发线与Centrotherm的扩散和退火工具，推动SiC技术的发展。

合作旨在利用A*STAR微电子研究所的工艺集成和器件表征能力及Centrotherm的专业工具，为制造基于SiC的器件而开发热工艺，例如优化沟槽、形成栅极氧化物。其目的是提高MOSFET和二极管等基于SiC的器件的性能和可靠性。作为合作的一部分，Centrotherm将在新加坡组建专门的技术团队，提供技术知识、工艺配方、现场支持。

A*STAR微电子研究所执行总监Terence Gan表示：“我们期待与Centrotherm的合作能推动SiC技术的发展。通过结合A*STAR微电子研究所的200mm SiC试研发线与Centrotherm的先进工具，我们可以加快研发速度，更好地满足行业需求。”

Centrotherm首席技术官Helge Haverkamp表示：“A*STAR微电子研究所与Centrotherm的合作标志着SiC技术领域翻开了激动人心的新篇章。双方的共同愿景、专业知识、资源有望推动半导体制造领域的创新、提升行业标准、促进地方发展。随着我们向SiC和电力电子的未来迈进，我们计划针对宽带隙工艺模块，进一步加强扩散和退火的专业化，并将专业技术扩展至SiC、GaN和其他创新宽带隙材料。”

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