安世半导体推出首款 MOSFET——1200 V分立器件

安世半导体（闻泰科技股份有限公司的子公司）总部位于荷兰奈梅亨，是一家设计和制造分立器件的厂商，该公司近期宣布推出其首款 （SiC） MOSFET，即两款采用3引脚TO-247封装的1200V分立器件，RDS(on)值分别为40mΩ和80mΩ。安世计划推出一系列产品，而NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是首批发布的产品，将使安世迅速扩展其SiC MOSFET产品组合，推出多款RDS(on)值不同的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装可供选择。这次推出的产品满足了市场对高性能SiC MOSFET在工业应用中可用性更高的需求，这些应用包括电动汽车（EV）充电桩、不间断电源（UPS）、太阳能和储能系统（ESS）的逆变器。

安世高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“市场一直迫切需要更多宽带隙器件供应商，而安世和三菱电机希望这两款首发产品能为市场带来真正的创新。”他补充道：“安世现可提供SiC MOSFET器件，这些器件在多个参数上具有同类最佳性能，例如高R_DS(on)温度稳定性、较低的体二极管电压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，使器件能够防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产最高品质SiC MOSFET的开篇之作。”

三菱电机半导体与器件集团功率器件事业部高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴能与安世一起推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作生产的首款产品。”他还表示：“三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识，我们的器件在不同特性上表现较为均衡，这一点是较为独特的。”

R_DS(on)会影响SiC MOSFET的传导功率损耗。安世称，其发现这是限制目前市面上许多SiC器件性能的一个因素，于是利用工艺技术确保其新型SiC MOSFET具有业界领先的温度稳定性，在25°C至175°C的工作温度范围内，R_DS(on)的标称值仅增加38%，这与目前市面上其他许多SiC器件都不同。

该公司表示，其SiC MOSFET的栅极总电荷（Q_G）极低，具有降低栅极驱动损耗的优势。此外，安世通过平衡栅极电荷，使Q_GD与Q_GS的比率降低，从而提高了器件对寄生导通的抗扰度。

安世表示，除了正温度系数外，其SiC MOSFET还具有超低的器件到器件阈值电压V_GS(th)分布，这使得器件并联工作时，静态条件和动态条件下载流性能都非常均衡。此外，体二极管正向电压（V_SD）是一个参数，其数值较低时不仅能提高器件的稳健性和效率，还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。

NSF040120L3A0和NSF080120L3A0现已开始批量生产。未来安世还计划推出汽车级MOSFET。