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格芯获得3500万美元资金，用于加速GaN计划

材料来源：ACT

美国政府为佛蒙特州工厂提供资金，使其向大规模生产下一代GaN芯片迈进

格芯（GlobalFoundries）获得了美国政府提供的3500万美元联邦资金，这笔资金将用于佛蒙特州Essex Junction工厂，以加速制造GaN-on-silicon芯片。

有了美国国防部可信接入项目办公室（TAPO）提供的新资金，格芯计划采购更多工具来扩大其开发能力和原型设计能力，向大规模生产200 mm GaN-on-silicon迈进。

格芯表示，还计划实施新的能力，以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险，同时提高美国制造GaN芯片的开发速度、供应保证、竞争力。

这笔资金基于格芯此前与美国政府的合作，其中2020-2022年期间，美国政府向其提供了4000万美元的支持资金。

格芯的工厂位于佛蒙特州Essex Junction伯灵顿附近，是美国首批大型半导体制造基地之一。目前，约有1800名格芯员工在此工作。

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