三款新器件为基于表面贴装器件的大功率系统带来SuperGaN的优势
GaN公司Transphorm推出了三款TOLL封装的SuperGaN FET,导通电阻分别为35毫欧、50毫欧、72毫欧。
据Transphorm称,其TOLL封装配置符合行业标准,也就是说,针对任意e-mode TOLL解决方案,SuperGaN TOLL FET可以用作即插即用的替换器件。
这三款表面贴装器件(SMD)支持平均在1千瓦至3千瓦范围内运行的大功率应用。这些电源系统通常用于高性能计算(人工智能、服务器、电信、数据中心)、能源和工业(光伏逆变器、伺服电机)、其他广泛的工业市场。值得注意的是,据称这类FET是当今人工智能系统的最佳解决方案,因为人工智能系统依赖于GPU,而GPU所需的功率是传统CPU的10到15倍。
Transphorm的大功率GaN器件已用于为生产中的高性能系统供电,包括数据中心电源、大功率游戏PSU、UPS、微型逆变器。TOLL器件也可以支持这些应用,以及基于电动汽车的直流-直流转换器和车载充电器,其底层SuperGaN芯片已通过汽车行业(AEC-Q101)的认证。
SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六种封装类型,其为客户提供了最广泛的封装选择,以满足他们的设计要求。
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