芯塔电子助力充电桩功率模块升级

随着新能源车系统电压向高压方向发展，直流充电模块电池充电电压也向高压方向发展。超级快充是新能源汽车进一步普及的刚性市场需求，使用 功率器件，可以实现宽电池电压充电和提高充电效率，并且容易实现V2X功能。在上述诸多背景下， MOSFET在直流充电桩渗透率快速提升。目前，业界传统头部企业纷纷开发 直流充电模块。很多充电模块市场新入场公司更是把开发 充电模块当作弯道超车的机会。

如下图一是充电桩功率模块主流拓扑电路。

图一 充电桩功率模块主流拓扑电路

SiC MOSFET应用于充电功率模块的优势：

1、便于实现超级快充。 MOSFET高压性能可以提升充电桩模块的系统电压，加大模块充电功率，提升充电速度；

2、便于实现宽电压范围电池充电。基于 MOSFE充电模块，系统电压高，可以实现宽电压范围电池充放电。

3、便于实现V2X功能。跟硅器件相比， MOSFET体二级管反向恢复特性好，有效降低电流反向流动时候跟反向恢复损耗，降低其器件的温度，整机效率提升。

4、提升充电模块效率，降低桩运行的电费成本。

5、充电模块功率密度提升。同样的充电桩尺寸可以提升充电功率，便于实现超级快充。

作为一家专注于宽禁带功率半导体研发与创新的国内领先企业，安徽芯塔电子推出了性能优越的的SiC MOSFET产品——TM2G0040120X和TM2G0080120X。这两款产品在多个知头部的充电桩企业获得批量导入，成为全国屈指可数在直流充电桩导入SiC MOSFET的国内品牌。

芯塔电子SiC MOSFET的优势：

1、芯塔 MOSFET在高温下的Rdson小，该指标业界领先（图二），器件通态损耗更低。充电桩的 MOSFET温升设计余量比较低，芯塔这种低高温RON的 MOSFET非常适用充电桩应用场景。

图二 芯塔TM2G0040120K与友商在温度变化下导通电阻的对比测试

2、芯塔 MOSFET转移电容Crss小（图三），该指标业界领先。随着电压上升，Crss快速下降，电磁兼容性好。这样性能 MOSFET特别使用于充电电路的桥式电路拓扑，可以最大程度降低栅极串扰，避免器件误导通的风险。

图三 芯塔电子TM2G0040120K与跟友对应产品的寄生电容对比

3、芯塔SiC MOS已进入多家充电桩客户，此方案（如图四）是芯塔电子充电模块客户针对新能源汽车充电应用而设计的单级电路创新方案。产品的峰值效率可达97.679%，领先业界平均水平2%。

图四 充电模块使用芯塔 MOS TM2G0040120K与友商效率对比测试

正因为芯塔电子1200V/40mohm SiC MOSFET和1200V/80mohm SiC MOSFET具备上述低高温RON和低转移电容Crss的优异特性，它们特别适用于充电应用场景。因此，这两款器件一经推出，便获得众多充电桩客户的一致好评，成为充电等市场的明星产品。芯塔电子目前已是充电桩业界广受好评的 知名品牌供应商。