Fraunhofer IAF在EuMW上展示最新进展

今年的EuMW在柏林举行，会上Fraunhofer应用固体物理研究所（IAF）展示了其在高频电子学领域的最新进展：从卫星通信到用于工业4.0和5G/6G的定向无线电通信线路，以及用于量子计算和射电天文学的低温电子器件。该研究所位于Freiburg，2023年在针对雷达、微波、高频技术的欧洲领先展览会上大显身手：Fraunhofer IAF除了有展台外，其研究人员还参加了18场会议演讲，其中11场担任会议主讲人。

例如，Moise Safari Mugisho来自Fraunhofer IAF，在EuMW上介绍了他在毫米波单片微波集成电路(MMIC)和模块方面的最新进展。其中包括一些令人瞩目的成果，如24 GHz谐波注入Doherty功率放大器的功率附加效率（PAE）为42%。

Felix Heinz在会上发表了演讲，内容为50 nm变质高电子迁移率晶体管（mHEMT）的低温小信号和噪声模型，该模型能精确描述此类晶体管低温条件下以最低直流功耗运行时的射频（RF）特性。还可预测漏极电流和漏极电压分别低至1 mA/mm和0.05 V时的电行为。在栅极宽度和栅极指数方面，该模型的可扩展性很广，至少涵盖10-480 µm的绝对栅极宽度范围。据作者所知，这是首次展示可扩展的低温小信号和噪声模型，该模型能够描述直流功率低至0.05 mW/mm的晶体管。

此外，Philipp Neininger还介绍了一款适用于40 GHz至220 GHz频段的超宽带数字步进衰减器（DSA），其基于Fraunhofer IAF的35 nm mHEMT技术。在Laurenz John的论文中，对为欧洲航天局（ESA）北极气象卫星（AWS）开发低噪声放大器（LNA）的成果进行了介绍。采用50 nm InGaAs沟道mHEMT技术制造了三个LNA电路，覆盖频段为54 GHz、89 GHz、以及165 GHz至183 GHz，随后将其封装到波导模块中，并经AWS原型飞行模型验证合格。

Bharath Kumar Cimbili的论文将展示效率峰值结果，主题为当前最先进的E波段GaN功率放大器。与以往的III-V功率放大器技术相比，这项研究中展示的功率放大器在效率和功率增益方面更优。设计V波段功率放大器时采用了Fraunhofer IAF的150 nm GaN技术，带宽大于10 GHz时，该功率放大器的功率密度为2.5W/mm，这是前所未有的。

Fraunhofer IAF事业部经理Matthias Ohlrogge博士说：“我们在这次重要会议上展示了杰出成果，证明我们在III-V半导体MMIC研发领域占据领先地位。此外，来自工业界和学术界的合作伙伴在EuMW 2023上展示了基于我们技术的新发现和新发展，这也显示了我们的实力。”

Fraunhofer IAF的论文概览可供下载(PDF)。

扫码下载