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信越化学推进QST衬底业务
材料来源：雅时
衬底可实现大直径、高质量的厚GaN外延生长，适用于功率、射频、MicroLED等器件
日本公司信越化学宣布推出用于GaN功率器件的QST（Qromis衬底技术）衬底。此外，该公司还将应客户要求销售GaN生长QST衬底。目前，该公司已推出直径为6英寸和8英寸的衬底，并正在开发12英寸衬底。
QST衬底的热膨胀系数（CTE）与GaN相同，因此能抑制GaN外延层翘曲开裂。信越化学表示，这种衬底可实现大直径、高质量的厚GaN外延生长，适用于功率器件和射频器件，以及MicroLED显示器的MicroLED生长。
自2021年以来，日本及全球客户一直在评估用于功率器件、射频器件、LED的样品。功率器件方面，正在对宽电压范围（650V至1800V）的器件进行持续评估。
信越化学表示，公司一直在稳步改进QST衬底技术。其中一个例子是降低了键合工艺产生的缺陷。此外，针对更厚的GaN薄膜，该公司还推动了模板衬底的供应，这些模板衬底带有优化缓冲层，能够实现厚度超过10 μm的稳定外延生长。信越化学还使用QST衬底生长出厚度超过20 μm的GaN厚膜，并在功率器件中实现了1800V的击穿电压。
信越化学与冲电气共同开发了一项技术，可从QST衬底上剥离GaN，并利用晶体膜键合（CFB）技术将其键合在不同材料制成的衬底上。迄今为止，大多数GaN功率器件都是横向器件，但CFB技术利用QST衬底的特性，通过从绝缘QST衬底上剥离一层厚厚的高质量GaN，实现了可控制大电流的垂直功率器件（见上图）。
对于制造GaN器件的客户，信越化学将供应QST衬底或GaN生长QST衬底，而冲电气工业将通过合作或授权的方式提供其CFB技术。两家公司希望通过这种方式为垂直功率器件的发展做出贡献。
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