英诺赛科氮化镓出货量突破3亿颗！

英诺赛科第一款低压氮化镓功率器件上市。

• 2019年6月

英诺赛科650V 高压氮化镓器件通过JEDEC。自此，英诺赛科成为全球唯一一家同时量产高压和低压氮化镓的半导体公司。

• 2021年3月

英诺赛科双向导通芯片 V-GaN 正式量产，是全球唯一一款可应用于高压侧负载开关，智能手机 USB /无线充电端口内置 OVP 保护，多电源系统中的开关电路等场景的GaN芯片。

• 2022年11月

英诺赛科 INN100W032A 荣获IIC全球电子成就奖，该产品栅极电荷仅为 Si MOS 的20%，Ciss仅为 Si MOS 的 40%，可广泛应用于电机驱动、Class D、数据中心、motor driver、通信基站等产品领域。

• 2023年1月

英诺赛科推出100V高集成半桥驱动合封芯片SolidGaN- ISG3201，进一步提升数据中心模块电源、电机驱动、D类功率放大器、光伏逆变器及轻混电动汽车等48V电源系统的整体性能。