思锐智能与英诺赛科签订ALD设备采购协议

青岛四方思锐智能技术有限公司（以下简称“思锐智能”)与全球领先的GaN IDM厂商英诺赛科科技有限公司（以下简称“英诺赛科”)签订了一项新的ALD设备采购协议。根据该协议，思锐智能将为英诺赛科供应用于氮化镓半导体晶圆制造前道工艺的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，支持其8英寸硅基氮化镓晶圆产线的扩充。

GaN、SiC等第三代半导体功率器件是实现电力更高转换效率的关键。研究机构Yole Développement 预测，到2027年GaN功率器件的市场规模有望达到20亿美元。与此同时，随着消费电子、数据中心、移动出行、工业互联网、新能源等领域对氮化镓半导体产品不断增长的需求，推动了新兴半导体材料氮化镓的性能升级，并迈入快速发展时期。

作为一种通用型技术，ALD镀膜工艺对于氮化镓功率器件的性能提升有着显著的增益，例如ALD薄膜可用于高质量的栅极介电叠层，有助于提升器件击穿电压、漏电抑制和阻水疏氧效果。Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，是思锐智能拥有近40年ALD技术积累的集大成者，支持配置多个ALD工艺模块，兼容热法及等离子体功能，可为应对不断增长的产能和新的应用而进行升级，目前已进入欧洲、北美、日本和中国大陆及台湾地区知名厂商，并实现重复订单。

英诺赛科是全球领先的GaN IDM厂商，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，其高、低压全功率氮化镓芯片的累计出货量已经超过2.5亿颗，广泛应用于消费电子、服务器电源、汽车电子及新能源等前沿领域。

思锐智能非常期待与英诺赛科携手，共同促进氮化镓产业、中国“双碳”目标以及可持续发展。思锐智能也在加速更多领域的产品研发与市场验证，积极布局其他前道装备业务，为客户提供更多价值，致力成为全球半导体产业发展的中坚力量。