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GaN Systems在PCIM上展示板载充电器设计

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英飞凌将通过收购GaN Systems来增强其在电力电子领域的实力。（图片来源：英飞凌科技股份公司）

作者：理查德·史蒂文森，CS杂志编辑

宽带隙电力电子领域一个最重要的里程碑出现在，硅材料大厂决定投资这项技术中的某一种时。当时有些人选择了，而另一些人则支持GaN；现在，许多大厂同时拥有两者。事实上，这些硅的继任者前景如此之大，以至于领先的参与者之一英飞凌现在正计划通过8.3亿美元收购加拿大无晶圆厂公司GaN Systems加强其内部能力从而强化其GaN产品。

英飞凌功率和传感器系统事业部总裁Adam White表示，此次收购——据称持续了数月而不是数年，预计将于2023年底完成——将为英飞凌提供两项互补的氮化镓技术。

“这些技术的器件概念略有不同，”White补充说，这种差异有助于解决整个应用领域的不同应用需求。例如，软开关与硬开关或稳健性水平。

英飞凌收购背后的另一个吸引力是，它可以获得GaN Systems独特的封装技术，该技术具有芯片嵌入功能。“这非常符合我们在超低寄生封装路线图中想要达到的目标。”White说。

与 SiC 晶体管设计相比，基于 GaN 的 11kW/800V OBC 的功率密度提高了 36%

GaN Systems 将于2023年5月8日至9日在德国纽伦堡举行的 PCIM欧洲展上展示一个新的基于 GaN 的 11kW/800V 板载充电器（OBC）参考设计。

据该公司称，在800V OBC中使用GaN晶体管是一项创新，改变了电动汽车汽车设计的游戏规则。

该OBC 设计的特点包括：与 SiC 晶体管设计相比，功率密度提高 36%，材料清单（BOM）成本降低 15%，AC/DC级峰值效率>99%，DC/DC级峰值效率>98.5%，半导体总功率损耗降低，并改善了热性能。

OBC 将three-level flying capacitor拓扑结构组合在一起，分别用于AC/DC 和 DC/DC 中无桥图腾柱 PFC 结构和的双有源桥。GaN晶体管将晶体管电压应力降低到一半，使得650V GaN可以用于这种和其他800V应用。

GaN Systems首席执行官Jim Witham表示：“GaN驱动的800V板载充电器参考设计是加速GaN在汽车领域应用的一个重大进步。我们新的尖端设计在效率、功率密度、成本、散热和减少碳足迹方面实现了非凡的提升，为我们的汽车客户提供了一个改变游戏规则的解决方案。”

在PCIM上，该公司也将展示来自三星、戴尔、哈曼、飞利浦和Razer等OEM厂商的快速充电氮化镓充电器和适配器，电动汽车、LED照明和无线电力传输方面的创新，数据中心电源从低于 50W/in3 到达到 100W/in3。

首席执行官Jim Witham还将参加Bodo’s Power Systems小组的讨论：“使用GaN HEMT和垂直GaN的宽带隙设计”。

苏州会议

雅时国际(ACT International)将于2023年5月23-24日,在苏州组织举办主题为“2023-半导体先进技术创新发展和机遇大会”。会议包括两个专题：半导体制造与封装、先进技术及应用。分别以“CHIP China晶芯研讨会”和“ 先进技术及应用大会”两场论坛的形式同时进行。详情点击链接查看：https://w.lwc.cn/s/nAjqi2

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