Qorvo公布750V SiC FET的TOLL封装

器件适用于空间受限的应用，如从几百瓦到几千瓦的AC/DC电源

在APEC 2023上，Qorvo展示了一种新的表面安装TO无引线（TOLL）封装，用于其高性能5.4 mΩ750V SiC FET。这是将在TOLL封装中发布的750V SiC FET系列中的第一个产品，导通电阻范围从5.4 mΩ到60 mΩ。

这些器件适用于空间受限的应用，例如从几百瓦到几千瓦的AC/DC电源，以及高达100A的固态继电器和断路器。

在600/750V级功率FET中，Qorvo Gen 4 SiC FET据说在导通电阻和输出电容的主要优点方面提供了无与伦比的性能。

此外，在TOLL封装中，在5.4 mΩ时，器件的导通电阻比同类最佳硅MOSFET、SiC MOSFET和GaN晶体管低4到10倍。SiC FET的750V额定值也比替代技术高100-150V，为管理电压瞬变提供了显著增强的设计裕度。

Qorvo功率器件业务首席工程师Anup Bhalla表示：“推出采用TOLL封装的5.4 mΩGen4 SiC FET，是我们实现为设计师提供业界最佳性能和多种器件选择的目标的重要一步。从事工业应用的客户尤其需要这种灵活性和成本效益相结合的功率设计。”

TOLL封装的面积比同类D2PAK表面安装产品小30%，高度为2.3毫米的一半。尽管尺寸有所减小，但先进的制造技术实现了从结到外壳的业界领先的0.1°C/W热阻。在144°C的外壳温度下，直流额定电流为120A，而在0.5毫秒内，脉冲额定电流为588A。

这些Gen4 SiC-FET使用Qorvo的共源共栅电路配置，其中SiC-JFET与硅MOSFET共同封装，以生产具有宽带隙开关技术的所有效率优势和硅MOSFET的更简单栅极驱动的器件。

Qorvo的FET Jet免费在线计算器中包含Qorvo TOLL封装的Gen4 5.4 mΩSiC FET，可即时评估各种AC/DC和隔离/非隔离DC/DC转换器拓扑中使用的部件的效率、部件损耗和结温升。可以在用户指定的散热条件下对单个和并联器件进行比较，以确定最佳解决方案。

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