全球首款用于μLED显示屏的单片InGaN RGB LED

Soft-Epi和Sundiode联合开发了一种用于micro-LED显示器的单片红、绿、蓝（RGB）堆叠式外延片，仅使用InGaN材料，无需晶圆键合。这是世界首创。是继去年开发出基于InGaN的红色LED之后，micro-LED显示屏的又一大进步。

总部位于韩国的Soft-Epi拥有独特的GaN外延技术，专注于制造用于可见光的InGaN外延生长，包括基于氮化物的红色LED。Sundiode是一家总部位于美国硅谷的公司，为显示应用开发micro-LED技术，包括增强现实（AR）和混合现实（MR）以及平视显示器（HUD）。

为了实现具有超高分辨率（5000 PPI）的下一代全彩色micro-LED显示屏，必须经历一个非常复杂的过程，即使用晶圆键合技术，并在每个晶圆上R、G和B的单独外延生长后去除衬底。这个过程一直是实现全彩色micro-LED显示屏的最大问题。

两家公司已经实现了世界上第一个在单个衬底上具有独立pn结的RGB外延层，只需一次外延生长，无需额外的晶圆键合工艺。这一新发展是通过Soft-Epi的外延生长技术和Sundiode的设计技术实现的。

这与以前的传统方法、晶圆键合技术或根据电流密度变化使用波长偏移的颜色控制方法完全不同。它是一种单片堆叠的RGB结构，可以独立驱动RGB颜色。这被认为是制造高分辨率微型显示器的理想RGB像素结构。