Innoscience交付数量达到1亿颗

8英寸GaN-on-Si HEMT公司实现全球应用

中国GaN公司Innoscience Technology表示，自2019年首次在8英寸晶圆线上大规模生产GaN FET以来，该公司已证明有能力支持全球对GaN FETs的大量需求。

根据Innoscience首席营销官Lei Feng说法，2022年，Innosciences交付了其第1亿颗产品，这是该行业的第一次，“代表了一个关键里程碑，证明了我们GaN器件的质量和可靠性”。

除了销售增长，2022年，该公司在美国、欧洲和韩国建立了当地销售和营销客户支持团队，以及之前设立的中国台湾和日本销售团队。

Feng表示：“为每个地区的客户提供本地销售和应用支持，可以让我们的客户更好地了解我们的技术和解决方案。此外，这有助于我们更好地了解客户的未来需求。”

今年，Innoscience推出了多个系列器件，包括Bi-GaN，这是一种双向GaN HEMT，可以在智能手机内部使用，以节省空间、提高效率和限制温度上升，也可以在快速充电器外部使用。该公司现在提供30-150V和650V的器件，包括行业标准封装的低80mΩ RDS(on) 650V GaN HEMT，这些器件已在APEC、PCIM和Electronica上进行了演示。

Innoscience Europe总经理Denis Marcon总结道：“现在是一个激动人心的时刻，成为一家真正让全球范围内的工业和消费应用客户从GaN的优势中受益的公司的一员。我们的技术得到了验证，我们的GaN HEMTS在数量和价格上都是有效的。”

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