英诺赛科增加采用行业标准封装的190mΩ、350mΩ 和 600 mΩ RDS（on）器件

英诺赛科已经宣布推出全系列的650V E模式GaN HEMT器件。新型 190mΩ、350mΩ 和 600mΩ RDS（on）器件采用行业标准的 8x8 和 5x6 DFN 封装，加入了先前发布的 140mΩ、240mΩ 和 500mΩ RDS（on） 器件，从而形成了重要的可用器件组合。

650V HEMT的芯片和封装都符合JEDEC标准。这些器件还通过了JEP180动态高温工作寿命测试 （DHTOL） 可靠性测试，这是 JEDEC 新发布的专门针对 GaN 技术的指南。此外，英诺赛科的650V HEMT（InnoGaN）已经进行了超过1000V的加速寿命测试，在80%的额定电压（520V；150°C；0.01母体故障率）下，寿命计算为36年。

新器件在800V下还具有非常好的漏源电压瞬态特性，用于非重复事件，其脉冲时间延长至200μs，以及用于重复性脉冲的脉冲（VDS，脉冲）特性，对于190mΩ的RDS(on)部分，最高可达100ns，750V。这些是同类产品中的最佳特性。此外，与650V产品类似，新型190mΩ、350mΩ和600mΩ RDS（on）器件均在芯片中嵌入了强大的ESD保护电路，以方便这些器件的大规模生产组装封装，且易于操作。

这些新型英诺赛科器件可能的应用包括PFC转换器、DC-DC转换器、LED驱动器、快速电池充电器、笔记本电脑和一体机（AiO）适配器以及台式电脑、电视、电动工具等的电源。

英诺赛科产品开发高级副总裁Yi Sun表示：“这些新器件完善了我们在650V下的100-600mΩ器件产品组合。我特别高兴增加650V/190mΩ，因为它正在成为GaN行业的标准，在为客户的应用选择供应商时提供了更大的灵活性。

由于GaN器件没有体二极管，因此反向恢复损耗远小于硅MOSFET，并且品质因数（FOM）要好得多。这意味着GaN HEMT，如英诺赛科的新型650V部件，可用于PFC应用的简单图腾柱配置，并从减少的BOM数量中受益，而不会像传统硅器件那样产生高损耗。这一优势与InnoGaN的高频功能相结合，有助于减小无源器件的尺寸，从而产生更紧凑的系统。

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