格芯获得3000万美元扩大GaN生产

美国联邦资金将推动下一代GaN功率芯片的创新和生产

格芯获得了3000万美元的美国联邦资金，用于推动格芯位于佛蒙特州埃塞克斯枢纽的工厂开发和生产下一代硅基氮化镓半导体。

这笔资金将使格芯能够购买工具，并扩展200mm GaN晶片制造的开发和实施，以制造用于电动汽车、工业电机和能源应用等高功率应用的芯片。

格芯位于佛蒙特州伯灵顿附近的埃塞克斯枢纽（Essex Junction）的工厂是美国最早的主要半导体制造基地之一。如今，近2000名格芯员工在该工厂工作，年生产能力超过60万片晶圆。Fab是一家值得信赖的代工厂，与美国国防部合作生产安全芯片，用于美国一些最敏感的航空航天和国防系统。

其他交易协议（OTA）由国防微电子公司通过美国国防部的可信访问计划办公室（TAPO）签订。TAPO的主要任务是为国防部最关键和敏感的武器系统平台采购先进的半导体。自2019年以来，TAPO一直支持双用途（民用和军用）在硅上GaN的开发工作，因为GaN提供了一种稳定的半导体，适用于国防部保持美国技术优势所需的高功率、高频器件。目前的开发阶段计划利用以前的TAPO成功，并继续使这一两用技术成熟。

“格芯一直是可信访问计划办公室的关键合作伙伴，为国防部最先进的武器系统平台提供先进半导体技术的半导体保证（Trust）。这项合作只是国防部为确保美国继续获得GaN等先进微电子技术而采取的一步，”DMEA主任Nicholas Martin表示。

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