氮化铝薄膜大功率芯片电阻器电导率是传统衬底材料六倍

氮化铝（AlN）上的新型薄膜芯片为电路设计师提供了单电阻器产品的高功率和高精度

这种高功率密度组件节省了印刷电路板（PCB）面积，并可通过限制组件热点的温升来提高可靠性。

TFHP系列薄膜高功率芯片电阻器针对精密电源、功率放大器和过程控制应用进行了优化，所有这些都得益于这种专业设计增强的从元件到端子的热传递。

“基于氮化铝的TFHP具有薄膜技术的精度，是TT不断增长的功率芯片电阻器产品组合的战略补充，”TT Electronics高级产品线经理Nick Atkinson说。“这些电阻器提供的独特价值使设计人员有机会减少组件尺寸，将温升降至最低，并提高其大功率模拟电路设计的可靠性。”

基于TT在功率芯片电阻器方面的专业知识，新TFHP系列可满足苛刻的热管理目标，1206和2512芯片尺寸分别提供2W和6W。此外，TFHP具有大面积终端，以改善与PCB的热接触。这些高功率电阻器还提供了比厚膜替代品更高的精度，提供了0.1%的公差，25ppm/°C TCR，并减少了自加热，以提高线性度。

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