新一代 InP 集成接收器和激光二极管瞄准 PON 和数据通信应用
专注于新一代 InP 芯片的加拿大公司 ElectroPhotonic-IC (ELPHiC) 日前宣布了其集成光学/电子接收器的样品。这是继其用于 ONU 应用的 10G 1271 激光器的样品之后,显示出其非常高的可靠性。
ELPHiC 开发了一种光电集成技术,据称该技术可导致新一代 InP 芯片实现更高的性能、更低的功耗并提高激光器和 PIN 接收器的可靠性。该集成方法消除了对 APD 的需求,从而降低了接收器的成本。
ELPHiC 首席执行官 Jim Hjartarson 表示:“通过将关键的光学和电子元件与模拟放大电路集成在同一 InP 半导体衬底上,我们在构建光学芯片组方面实现了架构转变,从而大大提高了性能和功率、降低了成本,并减少了模块外形尺寸。我们获得专利的 PIN 架构还可以实现与APD 相媲美的灵敏度水平。”
最近从光模块制造行业加入 ELPHiC 的全球销售副总裁 christian Ilmi 补充说:“过去 3 年,PON 和数据通信市场的模块制造商对激光器和接收器的需求出现了前所未有的增长。最近宣布的政府为 PON 部署提供的资金将为这一需求增加更大的压力。ELPHiC 推出更便宜、更有效的光学器件的时机再好不过了。”
ELPhic 董事会主席、硅谷资深人士Joe Costello表示:“终于,单片集成光学器件和电子器件的承诺即将兑现。借助ELPhic的技术优势,PON、数据中心和其他新兴创新市场的光链路性能将实现巨大飞跃”。
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