向SiC模块过渡的已知良好管芯

Aehr首席执行官出席欧盟电力半导体峰会

在9月19日至20日于慕尼黑举行的欧盟功率半导体执行峰会（EU PSE）上，Aehr Test Systems总裁兼首席执行官Gayn Erickson将谈到从分立SiC器件到多个SiC管芯模块的过渡。

该演示题为“评估晶圆级SiC MOSFET栅极阈值电压的稳定性”，并将讨论从分立SiC器件到多个SiC管芯模块或集成功率模块的过渡如何推动对已知良好管芯（KGD）的需求，其中栅极阈值电压稳定性对由匹配且稳定的栅极电压阈值管芯到管芯（die-to-die）前提驱动的模块可靠性至关重要。

本演示将提供栅极阈值不稳定性和故障的示例，以及在晶片级实现栅极阈值稳定性和可靠性的可用技术和能力。

该演示文稿将不会进行网络广播，但之后将在Aehr网站的投资者关系页面上提供一份演示文稿副本。

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