公司在SiC工厂完成了SiC等离子体替代CMP的可行性研究
牛津仪器公司(Oxford Instruments)宣布其等离子体替代CMP产品,于2022年9月11日至16日在瑞士达沃斯举行的
和相关材料国际会议(ICSCRM/ECSCRM)上发布,该公司正在分享更多新闻。
牛津仪器公司制备SiC衬底用于外延的非接触等离子体蚀刻方法提供了与CMP相当的结果,但具有更低的OPEX、更高的器件产率和能够支持向更薄晶圆过渡的工艺窗口,因此增加了每晶锭的晶圆数。
在一个使用整片晶圆的tier 1 SiC半导体制造厂进行的可行性项目中,该公司发现,新等离子体衬底制备技术的性能已经相当于适用外延的CMP。
等离子技术战略业务发展总监Klaas Wisniewski评论道:“这一验证结果是我们创造一种更具成本效益和可持续性的SiC衬底制备技术目标的一个重要里程碑。他还补充说:“我们的等离子制备技术非常有前景,目前与现有的替代品相比具有优势,但有可能成倍增加衬底产量,满足高增长市场对SiC衬底日益增长的需求。”
牛津仪器公司于2022年9月11日至16日在瑞士达沃斯的ICSCRM上正式推出等离子制备解决方案。在会议技术会议上,该公司将利用其专利干蚀刻工艺展示其最新的全晶圆外延和器件结果。
还在活动中亲自发言,讨论在大批量制造工厂中实施plasma制备。
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