Aixtron推出下一代 8英寸SiC 外延系统

Aixtron SE推出了新的G10-SiC 200 mm系统，用于在150/200 mm SiC晶圆上大批量制造最新一代SiC功率器件。

这种高温CVD系统是在近日瑞士达沃斯举行的国际SiC 及相关材料会议(ICSCRM)上发布的。

新的G10-SiC系统建立在成熟的G5 WW C 150 mm平台之上，并提供 9x150和6x200 mm的灵活双晶圆尺寸配置。这一特性有助于SiC行业从150毫米（6英寸）晶圆直径过渡到 200毫米（8英寸）晶圆直径。

新平台是围绕Aixtron的自动晶圆盒到盒装载解决方案构建的，该解决方案具有高温晶圆转移的特点。结合高增长率工艺能力，据说 G10-SiC 可提供一流的晶圆产量和每平方米产量，以有效利用半导体工厂中有限的洁净室空间。

Aixtron G10-SiC支持多种器件结构，包括单漂移层结构和双漂移层结构，满足严格的150 mm均匀性要求，即掺杂和厚度sigma值小于2%。自动晶圆装载将颗粒缺陷的风险降至最低，导致典型缺陷计数 < 0.02/cm²。

“这是真正的新一代高性能系统。新的双晶圆尺寸配置完全支持从今天的 150 毫米晶圆技术过渡，并保障了我们客户对未来的投资。Aixtron SiC 副总裁 Frank Wischmeyer 博士说：“凭借迄今为止在这种外形尺寸下的最高吞吐量，它最大限度地提高了晶圆厂的生产力和性能，使之更快地提升。同时，新开发的原位顶部晶圆温度控制 (TTC) 解决方案优化了一批次内以及批次间的晶圆级工艺控制。这导致可预测的高产量，以具有竞争力的成本水平满足严格的生产规格。”Wischmeyer 补充道。

外延层均匀性对于满足器件级的高良率至关重要。据该公司称，该系统的高吞吐量与每块加工晶圆的低消耗成本相结合，使每块晶圆的成本在行业中最低。

“我们很自豪能够为我们在全球的合作伙伴又提供一种解决方案，它结合了行业顶级标准和巨大的气候效应。在对我们的新 G10-SiC 系统进行评估和生产鉴定后，我们合作伙伴和客户的积极反馈已经引起了更多客户的兴趣。”Aixtron SE 首席执行官兼总裁 Felix Grawert 说。

“G10-SiC 正在成为我们客户在全球范围内扩大生产的重要基石，我们致力于通过我们卓越的系统制造、服务和工艺支持来支持这种扩展。”Grawert 总结道。

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