智能手机内部使用的英诺赛科Bi-GaN HEMT

中国GaN-on-Si公司英诺赛科宣布推出 Bi-GaN 系列双向 GaN HEMT 器件，该器件可节省空间并促进快速充电，而不会受到传统硅器件有时会出现的温度升高的影响。

英诺赛科还透露，移动通信公司 OPPO 正在其手机中使用新的 BiGaN 器件来控制电池的充电和放电电流。这是第一次将这种基于 GaN 技术的保护装置包含在手机本身中——以前这种电路必须集成在充电器中。

该公司表示，一个 BiGaN HEMT 可用于替代共源配置中背靠背连接的 NMOS MOSFET，以实现电池充电和放电电流的双向切换。这将导通电阻降低了 50%，芯片尺寸减少了 70%，升温减少了 40%。

英诺赛科发布的第一款 BiGaN 器件是 INN040W048A，这是一款采用 WLCSP 封装的 40V 双向 GaN-on-silicon HEMT，尺寸为 2.1mm x 2.1mm。该芯片支持双向开关，导通电阻低至 4.8mΩ。BiGaN 的目标应用包括智能手机充电的过压保护电路、高压侧负载开关电路和多电源系统的开关电路。英诺赛科还在努力将双向系列扩展到更低的通态电阻和更高的电压。

近日，在广东第一届插头大会UFCS技术研讨会上，OPPO证实其正在手机内部使用英赛诺科的BiGaN HEMT，使其成为全球首家使用BiGaN作为直接充电负载开关的手机制造商。OPPO表示，BiGaN产品不仅可以节省手机内部宝贵的空间，还可以减少手机在充电过程中的升温。

这可以在快速充电期间保持更舒适的温度，延长快速充电的可能持续时间，并提供更好的用户体验。OPPO 还宣布，未来量产的手机型号也将采用 BiGaN 双向技术。这是智能手机行业的一个重大发展，也是GaN技术首次进入手机内部。

英诺赛科产品开发高级副总裁孙毅评论说：“BiGaN 产品在智能手机中的应用标志着 GaN 新时代的到来。我们很高兴也很荣幸 OPPO 宣布在其机载快速充电电路中使用我们创新的双向 HEMT。我们期待进一步合作，提供具有先进性能的解决方案。”

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