宜普公司推出100V 3.8mΩ GaN FET

宜普公司(EPC)推出 100 V、3.8 mΩ EPC2306 GaN FET，为高功率密度应用提供更高的性能和更小的解决方案尺寸，包括 DC-DC 转换、AC/DC 充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频。

它被设计用于高密度计算应用中使用的 48 V DC-DC 转换、用于电动汽车和机器人技术的 48 V BLDC 电机驱动器、太阳能优化器和微型逆变器以及 D 类音频。

EPC2306 GaN FET 提供超小的 R_DS(on)，仅为 3.8 mOhm，以及非常小的 QG、QGD 和 QOSS 参数，可实现低导通和开关损耗。该器件采用耐热增强型 QFN 封装，顶部外露，尺寸仅为 3 mm x 5 mm，为最高功率密度应用提供了极小的解决方案尺寸。

EPC2306 与之前发布的 100 V、1.8 mOhm EPC2302 的尺寸兼容。这两款尺寸兼容的器件使设计者能够通过在相同的PCB尺寸中插入不同的部件号来权衡RDS(on)与价格，从而优化解决方案的效率或成本。

“EPC2306 将 100 V GaN 的优势与易于组装的 QFN 封装相结合，而不会牺牲性能，”EPC首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 说，“设计人员可以使用我们的封装 GaN FET 系列，为电动汽车和无人机制造重量更轻的电池驱动BLDC电机驱动器，为数据中心、数据通信、人工智能以及其他工业和消费应用制造效率更高的48V输入DC-DC转换器。”

开发板

EPC90145 开发板是一款最大器件电压为 100 V、最大输出电流为 45 A 的半桥，采用 EPC2306 GaN FET。该板的目的是简化评估过程以加快上市时间。这款 2 英寸 x 2 英寸（50.8 毫米 x 50.8 毫米）板专为实现最佳开关性能而设计，并包含所有关键组件，便于评估。

EPC2306 1 Ku volumes的价格为 3.08 美元。该开发板的价格为每块 200.00 美元。

有兴趣用 GaN 解决方案替换其硅 MOSFET 的设计人员可以使用 EPC GaN Power Bench的交叉参考工具，根据其独特的工作条件找到建议的替代方案。

声明：本篇文章属于原创，拒绝转载，如果需要转载，请联系我们，联系电话：0755-25988571。