牛津仪器推出SiC等离子体抛光干法蚀刻晶片创新加工技术，超越传统CMP主流技术

牛津仪器等离子体技术部宣布了一种新的替代方法，来制备用于外延的SiC衬底。SiC衬底的等离子体抛光已被证明是化学机械平面化 (CMP) 的一种优越且兼容HVM的替代方案，同时缓解了与CMP相关的重大技术、环境和供应链问题。

牛津仪器的等离子体抛光干法蚀刻(PPDE)工艺可以直接替代CMP，并且能轻松集成到现有工艺流程中。多年来，CMP一直是SiC衬底制备的主流工艺，但其运行存在一些不好的问题，整个行业都在努力满足对SiC衬底不断增长的需求。由于半毒性浆料副产品，在SiC衬底晶圆厂中运行CMP对环境有很大影响，并且该工艺需要大量用水也很浪费。此外，在充满挑战的供应链环境中，抛光垫和特种化学品带来了巨大的消耗品成本。此外，CMP工艺本质上是不稳定的，因为浆料化学品和抛光垫会被消耗，从而将漂移引入工艺线。PPDE是一种稳定的非接触工艺，它减少了处理损失，允许加工更薄的晶圆，单晶锭晶圆产量更多。

“选择等离子体表面处理来生产外延式的SiC衬底，有着令人信服的技术和商业原因。从技术角度来看，这一方法通往更薄的晶圆、更少的翘曲和出色的外延片质量；强大的商业动因，即可以从供应链中消除成本和复杂性，此外它明显是一个更清洁的绿色工艺，与工厂兼容并且可以整合。”等离子体技术部战略业务发展总监Klaas Wisniewski评论道，他还补充说：“这是一个非常有吸引力的方案，作为一种技术，与当前方法相比，它以更低的成本提供更好的结果，以同样的方式融入生产流程，并实现了SiC器件的环境可持续生产。”

牛津仪器等离子技术公司将于2022年9月11日至16日在瑞士达沃斯举行的 及相关材料国际会议(ICSCRM / ECSCRM)上正式推出他们的PPDE工艺。在会议的技术会议上，他们将展示他们利用其专利的PPDE工艺，从其商业代工合作伙伴制造的晶片上获得的最新全晶圆外延和器件结果。还将有机会亲自在会上发言，讨论在大批量制造工厂中实施 PPDE的问题。

点击此链接注册以参加会议：https://icscrm2022.org/registration，如要预先安排面对面会议，请联系Brian.Dlugosch@oxinst.com（牛津仪器等离子体技术部战略生产市场副总裁）。

声明：本篇文章属于原创，拒绝转载，如果需要转载，请联系我们，联系电话：0755-25988571。