II-VI完成1亿美元的SiC衬底合同

II-VI已经完成了一项价值超过1亿美元的合同，向东莞天域半导体科技有限公司提供SiC衬底，并将于本季度开始交付。天域(TYSiC)，中国第一家和最大的SiC外延片制造商之一，已签署了一份长期供应合同，并预付款项，以确保150毫米SiC衬底产能，满足其到2023年的需求。

New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies执行副总裁Sohail Khan表示：“2021年11月，我们很高兴地宣布，天域已选择II-VI作为其主要战略合作伙伴，为电力电子器件供应150 mm SiC衬底。随着终端需求的显著增加，天域必须通过这份长期、大批量的合同来确保其供应，该合同将随着时间的推移重复出现并增值。”

为满足亚洲市场需求，II-VI于2021年在位于中国福州的II-VI亚洲区域总部新建了超过50,000平方英尺的洁净室空间，建立了一条SiC衬底后端加工线。天域将受益于II-VI在美国和中国的150毫米SiC全球产能。

天域和II-VI旨在提供高质量和可靠的供应链以及未来的200毫米的生产能力，这对于支持电动汽车(EV)、可再生能源、智能电网、微电网、和数据网络电源中快速增长的SiC电力电子的需求至关重要。

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