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芯塔电子推出新一代SiC MOSFET，性能达到国际一流水平
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近日，国内第三代半导体新锐企业芯塔电子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各项性能达到国际领先水平。此举标志着芯塔电子在第三代半导体领域取得了重大进展，进一步丰富了公司的产品系列，彰显了芯塔电子在国内SiC领域的竞争力。目前，该产品已经给国内军工、新能源汽车、光伏储能、充电桩等领域头部企业进行了销售。
芯塔电子新一代SiC MOSFET晶圆及器件
芯塔电子新一代SiC MOSFET基于XM2.0自主技术平台。技术团队历经数月的辛苦研究，针对芯片布局、结构、工艺进行全方面的设计优化，并与国内合作单位进行了多轮技术讨论、调试工作，快速完成芯片流片，取得预期的芯片测试结果。新一代产品的材料、设计、代工等环节均在国内完成，是真正意义上的纯国产化产品，加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程。
芯塔电子新一代SiC MOSFET选型表
技术团队通过优化设计，结合先进的晶圆减薄技术，进一步提高了器件的功率密度和效率，可以应用在更高频的环境，从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，对比前一代产品具有更小的芯片尺寸、更低的米勒电容、更高的抗干扰能力。新一代产品不但获得了更高的性价比，同时也改善了器件动态特性，获得了更低的开关损耗，以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体器件需求。
芯塔电子1200V/40mΩ SiC MOSFET性能参数
芯塔电子本次发布的 SiC MOSFET 器件低优值因子QG x RDS(ON) 是产品最大的亮点之一。优值因子数值越低说明器件的综合损耗越小，效率更高。在相同的测试条件下，芯塔电子 1200V/40mΩ SiC MOSFET的优值因子比国外C品牌低25%，在一众同类品牌中优势尽显。
芯塔电子MOS产品优值因子对比
通过与国外知名友商C公司竞品性能参数对比图可以看出，芯塔电子新一代1200V/40mΩ SiC MOSFET在导通电阻、栅电荷等方面展示出优良特性。在TJ=150℃时，芯塔电子产品的导通电阻的变化率为1.3、C公司为1.7，相对竞品更具优势和性价比。
1200V 40mΩ SiC MOSFET双脉冲对比测试波形图
1200V 40mΩ SiC MOSFET双脉冲对比测试数据
双脉冲测试结果来看，芯塔电子1200V/40mΩ SiC MOSFET与国外知名友商C公司的最新一代同规格竞品相比开通和关断更快，开通损耗降低14%，关断损耗降低18%。从短路电流测试结果来看，芯塔电子1200V/80mΩ SiC MOSFET在VDD = 600 V , VGS = 20 V , VGD = -5 V , RG = 25 Ω的测试条件下，短路时间≤5μs，短路电流为279A，达到国际一线品牌产品性能。
1200V 80mΩ SiC MOSFET短路电流测试
整体而言，芯塔电子 SiC MOSFET具有业内领先的优值因子系数，在应用环境中，具备损耗低、整体效率高的明显优势,器件多项性能及各项技术已经达到国际一流水平，可以很好的实现国产化替代。
芯塔电子新一代SiC MOSFET晶圆
SiC MOSFET是具有代表性的
功率器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用场景。相比于传统的硅基IGBT，SiC MOSFET可带来一系列系统级优化，包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本，可广泛应用于新能源汽车、光伏储能、UPS、充电桩、功率电源等领域。下游需求不断扩大的态势下，芯塔电子的SiC器件将以国际先进的性能和高可靠性，满足诸多目标应用的需求，公司未来的发展前景也将会愈发广阔。
在行业竞争风起云涌的今天，赋予芯塔电子全新的战略定位。在全球化竞争的舞台上，芯塔人锐意进取，以全球化的视野和前瞻的思路，创新求变，顺应潮流。未来，芯塔电子将依托中国广阔的市场优势、强大的团队科研实力和行业资源植根安徽，打造新一代功率半导体民族品牌。不断加强国内产业链的合作和协同创新，持续推动第三代半导体产业技术进步，助力国家“双碳”战略。
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