企业新闻详细内容

Transphorm推出功率高达140W的参考设计

材料来源：

针对USB-C PD GaN电源适配器开发的七种参考设计

Transphorm开发了七种参考设计，旨在加速基于GaN的USB-C PD电源适配器的开发。该产品组合包括广泛的开放式框架设计选项，可选择各种拓扑、输出和瓦数（45W至140W）。

电源适配器参考设计使用SuperGaN Gen IV 650V FET，以提供设计简单、高可靠性和高性能优势，这已成为Transphorm GaN器件的代名词。在最近的分析中，与175 mΩ E型GaN器件相比，Transphorm的240 mΩ SuperGaN FET在75°C以上的温度下显示出更低的导通电阻上升，在50%和100%（满）功率下表现出更高的性能。

Transphorm的产品组合包括五种开放式框架USB-C PD参考设计，频率范围为140至300 kHz。例如，Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发了一款65W有源箝位反激（ACF）RD，运行频率为140 kHz，峰值效率为94.5%。

•（1x）45W适配器RD在准谐振反激（QRF）拓扑中提供24 W/in3功率密度

•（3个）65W适配器RDs在ACF或QRF拓扑中提供30 W/in3功率密度

•（1x）100W适配器RD在功率因数校正（PFC）+QRF拓扑中提供18 W/in3功率密度

参考设计还包括两个开放式框架USB-C PD/PPS参考设计，频率范围为110至140 kHz。Transphorm在这两种解决方案上都与Diodes合作，利用其ACF控制器实现93.5%以上的峰值效率。

•（1x）65W适配器RD在ACF拓扑中提供29 W/in3功率密度

•（1x）140W适配器RD在PFC+ACF拓扑中提供20 W/in3功率密度

Transphorm现场应用和技术销售副总裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm的独特之处在于，它提供了唯一的GaN FET产品组合，涵盖了最广泛的功率级别和最广泛的应用。”。

他说：“我们的电源适配器参考设计突出了我们的低功耗能力。我们提供了与控制器无关的PQFN和TO-220器件，可以极大地简化设计。这些功能以及其他功能帮助我们的客户用能够达到突破性能效水平的GaN解决方案快速、轻松地走向市场。这就是Transphorm的GaN的全部。”

声明：本网站部分文章转载自网络，如涉及侵犯版权，请联系我们，我们立即删除。联系电话：0755-25988571。

上一篇：艾迈斯欧司朗新型环境光...

下一篇：Navitas与Anker的合作实...

声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk