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英诺赛科在比利时“GaN谷”开设欧洲研发中心
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英诺赛科是一家旨在利用高性能、低成本的硅上氮化镓（GaN-on-Si）功率解决方案使全球能源生态系统更加绿色和可持续的公司，该公司已在比利时鲁汶扩建了其欧洲办事处，并设立了一个新的研发中心。比利时新的GaN功率器件研发活动由英诺赛科研发副总裁的JanŠonský博士领导。JanŠonský博士将与英诺赛科总部的公司研发团队密切合作，领导下一代技术的开发。
Šonský博士在荷兰代尔夫特理工大学获得博士学位，在半导体行业拥有20年的研发经验。此前，他为另一家领先的半导体公司贡献并推动了用于移动和汽车应用的GaN和硅技术开发，实现了技术突破。Šonský博士在业界广受尊敬。他曾担任ISPSD会议的总主席，并于2021年当选为ISPSD名人堂成员，以此证明了他的成就。
英诺赛科的新研发活动位于鲁汶，邻近IMEC，这是一个得到高度认可的先进半导体技术卓越中心，而鲁汶大学KU-Leuven也因其在电力电子领域的活动而闻名。因此，英诺赛科的新研发团队成为比利时所谓“GaN谷”的最新成员。
该公司旨在吸引最优秀的人才来执行其雄心勃勃的技术路线图，并成为GaN功率解决方案领域无可争议的领导者。新成立的欧洲研发中心将在提高英诺赛科核心GaN器件技术和产品的性能和可靠性方面发挥重要作用，帮助公司保持未来GaN技术创新的领先地位。
英诺赛科欧洲总经理Denis Marcon博士说：“我们欢迎Jan加入英诺赛科，我们期待着从他和他的团队将要做的工作中受益。我们的器件已经在低电压（30V至150V）和高电压（650V）额定值下提供了优异的性能。我们期望新的研发中心能够提供更好的性能、更小的尺寸和超可靠性。”
“英诺赛科百分之百致力于氮化镓的研究，”Šonský博士补充道。“我认为这是一个推动我们的下一代技术的很好的机会，使全球和不同市场的功率电子设计人员能够享受英诺赛科GaN技术带来的高性能，从而彻底改变功率应用。”
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