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罗姆公司披露SiC计划

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公司强调对SiC产品和生产的投资

今年在纽伦堡举行的PCIM现场活动中，罗姆半导体欧洲公司介绍了其专注于电动汽车和能源转换应用的新型功率半导体解决方案。最重要的是，该公司宣布了其欧洲和全球业务活动、战略和SiC投资计划。

其中包括其第4代SiC MOSFET，可在不牺牲短路耐量的情况下将开关损耗降低50%并将导通电阻降低40%。最重要的是，最新一代产品据说提供了更灵活的栅极电压范围(15-18V)并支持零电压关断——使单极电源的简单栅驱动电路得以实现。

“对SiC的需求将继续增长，罗姆的销售额也将增加。我们将在我们作为领先的SiC制造商所培育的技术基础上，加快进一步的投资和产品开发。此外，我们公司将继续提出不仅结合SiC产品，还结合外围组件和客户支持的解决方案。”罗姆公司CSO、常务执行官Kazuhide Ino表示。

最近，随着位于日本筑后市的阿波罗工厂新厂房的建成，罗姆提高了其SiC功率半导体的产能。“作为一家垂直整合的半导体制造商，我们在很大程度上独立于供应商，可以更灵活地应对市场变化。我们晶圆厂的高度整合使我们比其他将许多生产步骤外包的制造商更具优势。此外，我们正在努力进一步优化我们的供应链，包括我们的生产系统，并为我们的客户实现稳定的供应。”罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack说。

由于未来对SiC半导体晶圆的需求将继续增长，罗姆公司计划扩大其投资和产能。此外，位于德国纽伦堡的罗姆子公司SiCrystal也计划大力发展其产能和人力。“SiCrystal的中期目标是通过每年生产几十万片衬底来实现九位数的销售额。”SiCrystal首席执行官Robert Eckstein说。

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