芯塔电子SiC MOSFET助力中国新能源产业发展

以 （SiC）为代表的第三代半导体功率芯片和器件，以其高压、高频、高温、高速的优良特性，能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度，降低成本造价，增强可靠性和适用性，提高电能转换效率，降低损耗。SiC产业目前处于快速发展期，新能源汽车及光伏等领域对SiC MOSFET需求旺盛。然而，SiC MOSFET因技术难度高、研发周期长、研发投入大、人才要求高等因素，国内总体水平还相对比较薄弱，具备研发和量产能力的企业更是凤毛麟角。

 

面对外界风险挑战，芯塔电子坚持本土创新，加大研发投入，攻坚关键核心技术，面向三代半新赛道加快构建核心技术优势。芯塔电子依靠十多年的技术积累，通过和合作单位共同研发栅介质的核心工艺技术，研究栅氧的物理机理，改进了MOS栅的可靠性和沟道迁移率，使得具有自主的知识产权的SiC MOSFET器件具有更小的导通电阻，性能达到国际先进水平。

  

1200V MOSFET输出特性曲线

 

1200V MOSFET电容曲线

 

公司TM1G0080120K SiC MOSFET产品，在应用端与国际一线品牌进行了测试对比（如下图），在高频开关应用下，性能满足客户需求，可实现国产替代。

芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试

 

国外知名C公司1200V SiC MOSFE应用测试

 

芯塔电子是SiC功率器件国产化的先行者，SiC MOSFET从产品设计、制造、封装等各环节均在国内完成，该系列产品加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程（包括自主的IP、材料、设计、工艺等），彰显了我司科技创新的核心竞争力。芯塔电子SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售，包括军工、新能源汽车、充电桩等领域，同时也已获得众多客户的咨询和明确需求，预计今年营收会有爆发性增长。

 

依靠十多年的技术积累和专注的技术研发，芯塔电子已形成比较完整的功率器件产品体系，包括6英寸SiC肖特基二极管芯片，650V-1200V 40多种规格的第五代SiC肖特基二极管器件，SiC MOSFET器件和模块。公司目前已积累上百家客户资源，并进入了行业标杆客户。在资本方面，公司已获得了政府的有力支持和头部资源的投资，将助推公司更加快速的发展。芯塔电子将加快创新驱动，携手国内第三代半导体产业链共同助力中国新能源产业发展。

 

声明：本网站部分文章转载自网络，如涉及侵犯版权，请联系我们，我们立即删除。联系电话：0755-25988571。