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英诺赛科和Silanna推出AFC参考设计

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65W有源钳位反激式设计具有30W/in³功率密度

中国GaN公司英诺赛科和总部位于圣地亚哥的电力公司Silanna Semiconductor在德国纽伦堡的PCIM展览会上展示了具有30W/in³无外壳功率密度的65W有源钳位反激式(AFC)参考设计。据称，该设计在230Vac下可实现超过94%的效率水平，且空载功耗低于25mW。

该设计结合了英诺赛科的INN650D240A 650V硅基氮化镓增强型功率晶体管与Silanna的SZ1131全集成有源钳位反激式(ACF)控制器。

65W的参考设计尺寸为34x34.5x30.5mm。它的输入电压范围为90-265VAC，并提供5V/3A、9V/3A、15V/3A和20V/3.25A的USB-PD输出电压和电流配置。英诺赛科和Silanna Semiconductor还在合作开发更高功率的多端口参考设计，并将很快将它们推向市场。

英诺赛科美国分公司总经理Yi Sun评论说：“通过实现更快的开关速度、更高的效率和更小的元件，ACF拓扑结构满足了提高性能和降低功耗的需求，同时将电源尺寸和重量最小化了。Silanna的集成控制器IC和英诺赛科方便设计、坚固可靠的GaN FET是完美的搭配，实现了这种应用。”

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