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Rohm公布 SiC 计划

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公司强调对 SiC 产品和生产的投资

今年在纽伦堡举行的 PCIM 现场活动中，罗门半导体欧洲公司介绍了其专注于电动汽车和能源转换应用的新型功率半导体解决方案。最重要的是，该公司宣布了其欧洲和全球业务活动、战略和 SiC 投资计划。

其中包括其第 4 代 SiC MOSFET，可在不牺牲短路耐用性的情况下将开关损耗降低 50% 并将导通电阻降低 40%。最重要的是，据说最新一代提供更灵活的栅极电压范围 (15 -18V) 并支持零电压关断 - 可以使用具有单极电源的简单栅极驱动电路。

“对 SiC 的需求将继续增长，罗姆也将增加销售额。我们将基于我们作为领先的 SiC 制造商所培养的技术，加快进一步的投资和产品开发。此外，我们公司将继续提出不仅结合 SiC 产品，还结合外围组件和客户支持的解决方案，”罗门公司 CSO 常务执行官 Kazuhide Ino 表示。

最近，罗姆在其位于日本筑后市的阿波罗工厂的新厂房竣工，提高了 SiC 功率半导体的产能。 “作为一家垂直整合的半导体制造商，我们在很大程度上独立于供应商，可以更灵活地应对市场变化。我们工厂的高度集成使我们比其他将许多生产步骤外包的制造商具有优势。此外，我们正在努力进一步优化我们的供应链，包括我们的生产系统，并为我们的客户实现稳定的供应，”罗姆半导体欧洲总裁 Wolfram Harnack 说。

由于未来对SiC半导体晶圆的需求将持续增长，罗姆计划扩大其投资和产能。此外，位于德国纽伦堡的罗姆生产子公司 SiCrystal 计划大力发展其产能和人力。 “SiCrystal 的中期目标是通过每年生产 100,000 个基板实现九位数的销售额，”SiCrystal 首席执行官 Robert Eckstein 说。

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