Altum RF 推出三款紧凑型 MMIC 放大器

使用 WIN 半导体公司最新的 0.1µm GaAs pHEMT 技术制造的 Q、V 和 E波段放大器

高性能射频毫米波半导体解决方案供应商 Altum RF 宣布推出三款新的 GaAs pHEMT MMIC 放大器，针对 Q、V 和 E 波段的应用。

这些紧凑型芯片放大器采用 WIN半导体公司的新一代 PP10-20 GaAs pHEMT 技术，实现了高增益和低噪声，同时通过使用单栅极和单漏极，简化了工程师的设计。这些放大器的亮点包括：

这些器件是： ARF1208 低噪声放大器 - 37-59 GHz，2.5 dB 噪声系数和 50 GHz 时的 26.5 dB 线性增益； ARF1207 线性放大器 - 57-71 GHz，25 dB 增益和 22 dBm P1dB 输出功率；和 ARF1206 低噪声放大器 - 71-86 GHz，22 dB 增益和 4 dB 噪声系数。

WIN 的 PP10-20 技术建立在经过验证且成熟的 PP10-10 平台之上，并针对高达 170 GHz 的应用。作为一个关键的差异化因素，PP10-20 允许在相同的工作电压下大幅增加增益。

“基于我们在 WIN 丰富考验的 0.1 µm 技术积累,以及对建模、设计和仿真工作流程专长，我们在最新发布的 PP10-20 工艺中使用了一系列毫米波产品取得了首次成功，”Altum RF 首席执行官Greg Baker表示。“我们对这一成功感到高兴，这支持了我们为毫米波应用开发前沿组件的战略，我们期待着建立更广泛的产品组合，以满足当今和未来的市场需求。”

WIN半导体技术和战略业务发展高级副总裁 David Danzilio 补充说：“我们很高兴与 Altum RF 合作，利用 WIN 的高性能平台将领先的毫米波产品商业化。该新一代 PP10-20 技术建立在成熟的 PP10-10 平台之上，该平台用于当今部署在无线回程中的许多 E 波段功率放大器。 PP10-20 是一种通用技术，可以实现广泛的毫米波前端功能，并支持放大器在D 波段的性能。 Altum RF 取得的首次成功证实了 PP10-20 平台的可重复性和产业化能力。”

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