英飞凌投资20亿欧元用于宽带隙制造

英飞凌科技正投资超过 20 亿欧元在其位于马来西亚居林县的工厂建造第三个模块。一旦配备齐全，新模块将通过基于 SiC 和 GaN 的产品产生 20 亿欧元的额外年收入。

此次扩张将受益于居林县200毫米制造已经实现的规模经济。基于菲拉赫（Villach）和德累斯顿（Dresden）的300毫米制造，它将补充英飞凌在硅领域的地位。

“创新技术和绿色电能的使用是减少碳排放的关键。可再生能源和电动汽车是功率半导体需求强劲且可持续增长的主要驱动力，”英飞凌首席运营官 Jochen Hanebeck 表示，“我们 SiC 和 GaN 产能的扩展，使英飞凌为宽带隙市场的加速发展做好了准备。我们正在将我们位于菲拉赫的开发能力中心和位于居林的具有成本效益的宽带隙功率半导体生产结合起来。”

两个拥有大批量宽带隙能力的基地

英飞凌目前已向 3,000 多家客户提供基于 SiC 的产品。重点应用是工业电源、光伏、交通、驱动、汽车和电动汽车充电。

英飞凌的目标是到5年后，通过基于 SiC 的功率半导体实现 10 亿美元的收入。预计 GaN 市场也将出现大幅增长——从 2020 年的 4700 万美元增长到 2025 年的 8.01 亿美元（复合年增长率：76%；来源：Yole—— 季度市场监测2021年第三季度）。

一旦满载，居林 3 号将创造 900 个高价值工作岗位。施工将于 6 月开始，该工厂将于 2024 年夏季准备好设备。第一批晶圆将于 2024 年下半年离开晶圆厂。对居林的投资将包括重要的增值步骤，特别是外延工艺和晶圆制造。

“马来西亚是英飞凌的主要区域中心之一，这项进一步投资真正证明了我们有利的生态系统和我们当地人才支持长期增长的能力” 马来西亚高级部长兼国际贸易和工业部长Dato' Seri Mohamed Azmin Ali说，“政府将通过马来西亚投资发展局（midA）继续与我们的战略投资者密切合作，以巩固马来西亚作为该地区重要半导体中心的地位。”

菲拉赫也将加强其作用

未来几年，英飞凌的菲拉赫工厂将通过改造现有的硅设施，继续作为宽带隙技术的创新基地和全球能力中心。6 英寸和 8 英寸硅生产线将通过重新利用非特定硅设备转换为 SiC 和 GaN 生产。菲拉赫工厂目前正在为进一步的增长机会做准备。