纳微成立全球首个电动汽车 GaN芯片设计中心

纳微半导体宣布成立一个新的电动汽车 (EV) 设计中心，进一步扩展高功率GaN市场。

该设计中心位于中国上海，拥有一支由电力系统设计师团队，他们具备电气、热力和机械设计、软件开发以及完整的仿真和原型制作能力。新团队将在全球范围内为电动汽车客户提供支持，从概念到原型，再到全面认证和大规模生产。

行业专家、上海设计中心新任高级总监孙浩（Hao Sun）表示：“设计中心将为全功能、可生产的电动汽车动力系统开发原理图、布局和固件。纳微将与 OBC、DC-DC 和牵引系统公司合作，创建具有最高功率密度和最高效率的世界级创新解决方案，以推动 GaN 进入主流电动汽车领域。”

为 EV 应用量身定制的高功率 650V GaN IC 已于 12 月向 EV 客户提供了样品。在最近的小米产品组合演示日上展示了 6.6kW OBC 概念，并在 CES '22 上展出。

“纳微电动汽车团队在提供动力系统方面拥有丰富的人才和成熟的经验，”纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰说，“对于 GaN 来说，电动交通是一个令人兴奋的扩展市场，估计在每辆电动汽车上的潜在应用价值为 250 美元。按市场划分，Navitas 正在向更高功率的应用快速推进，如电动汽车、数据中心和太阳能。”

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