爱思强加入欧盟项目“YESvGaN”

外延专家爱思强Aixtron宣布成为欧盟“YESvGaN”（垂直硅基氮化镓：硅成本下的宽带隙功率）研究项目的合作伙伴，该项目旨在开发基于新型工艺技术的高效功率晶体管，用于大规模工业生产。

“YESvGaN”联盟估计，到2030 年，欧盟持续使用此类 YESvGaN 垂直 GaN 晶体管可能节省的电力，相当于 7 个核电站或 10 个燃煤电站的电力输出。

为了开发以硅为衬底的垂直 GaN 功率晶体管，该联盟将依赖 Aixtron SE 的外延技术。这是因为对于这种新开发的功率器件，GaN 必须在合适的衬底（如硅晶片）上以结晶层的形式大面积生长。

为了进一步推动基于 GaN 器件的市场渗透，爱思强还在 300 毫米直径的外延片上测试外延生长，作为“YESvGaN”研究项目的一部分；目前，MOCVD 技术主要用于 150 mm 至 200 mm 晶圆上的晶体生长。为了在 300 毫米硅衬底上沉积 GaN 层，沉积系统专家正在开发所需的设备。

“硅晶圆上的 GaN 功率晶体管为我们提供了一个耐人寻味的机会，与硅（Si）相比，GaN的功率密度高出约15%，同时又具有既定硅技术的成本优势。因此，其性能有望超过现代 SiC MOSFET， 而芯片成本可与 Si IGBT 相媲美。”Aixtron SE 高级技术副总裁 Michael Heuken 说。

“YESvGaN”合作伙伴包括博世、Ferdinand-Braun-Institut、莱布尼茨高频技术研究所、弗劳恩霍夫集成系统和设备技术研究所、Finepower、X-FAB、NanoWired and Siltronic、CNRS 国家科学研究中心、Ion Beam Services、意法半导体、 EpiGan、Universiteit Gent、EV Group、Materials Center Leoben Forschung、Hexagam、Linkopings Universitet、Smart Induction Converter Technologies、Universitat de Valènciam Aurel、Consorzio nazionale interuniversitario per la nanoelettronica和Raw Power。

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