EPC 发布用于 48V DC-DCs 的 GaN 芯片组

ePower 芯片组系列集成了 100V GaN 驱动器和高达 65A 的 FET

EPC发布了一款100V、65A集成电路芯片组，用于高密度计算应用中的48V DC-DC转换，以及用于电子移动、机器人和无人机的48V BLDC电机驱动器。

EPC23101 eGaN IC 加上 EPC2302 eGaN FET 提供了一种新的 ePower 芯片组，其最大耐受电压为 100 V，提供高达 65 A 的负载电流，同时能够实现大于 1 MHz 的开关速度。

EPC23101 集成电路采用 EPC 专有 GaN IC 技术的主要特性包括集成 3.3 mOhm RDS(on) 高边 FET 和栅极驱动器、输入逻辑接口、电平转换、自举充电、栅极驱动缓冲器电路和栅极驱动器输出以驱动外部低电平侧面 eGaN FET

EPC2302 eGaN FET 具有仅 1.8 mOhm 的超小 RDS(on)，以及非常小的 QG、QGD 和 QOSS 参数，可实现低导通和开关损耗。

这两款器件均采用热增强型 QFN 封装，顶部裸露，并在两个器件之间优化了引脚排列。组合芯片组占位面积为 7 mm x 5 mm，为最高功率密度应用提供了极小的解决方案尺寸。

当在 48 V 至 12 V 降压转换器中运行时，EPC23101 + EPC2302 芯片组在 1 MHz 开关频率下可提供 96% 的效率，在 500 kHz 开关频率下可提供 97% 的效率，并且可以在低于 50 °C 的温升下提供 65 A 电流。

EPC 表示，ePower 系列产品旨在让设计人员能够轻松利用 GaN 技术带来的显著性能改进。集成器件更容易设计、布局、组装，节省PCB上的空间并提高效率。

“分立式功率晶体管正在进入其最后一章。“ EPC 首席执行官兼联合创始人 Alex Lidow 表示，集成式 GaN-on-Silicon 以更小的面积提供更高的性能，并且显著减少了所需的设计工程。 “从数字和模拟控制器的宁静或控制环境中，ePower 芯片组将 PWM 命令信号转换为能够驱动现实世界负载的高电压和高电流波形。设计人员可以使用 ePower 芯片组为 eMotion、机械臂和无人机制造更轻、更精确的电池供电 BLDC 电机驱动器，为数据中心、数据通信、人工智能、太阳能 MPPT 和其他工业制造更高效的 48 V 输入 DC/DC 转换器和消费者应用程序。”

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