Nexperia使用Aixtron技术以进入SiC市场

半导体公司 Nexperia 正在使用 Aixtron 的全自动 AIX G5 WW C 生产技术，以进入高性能 SiC 器件市场。

“诸如 GaN 和 SiC 等宽带隙半导体具有独特的物理特性。它们能够以更低的系统和运营成本实现高功率密度和效率。现在，SiC 技术也很先进，足以满足现代消费和工业产品对器件大规模生产的严格要求。因此，现在是 Nexperia 采取下一个战略步骤的时候了，即将我们的产品组合扩展到包括基于 SiC 的功率半导体器件。”Nexperia 双极分立器件集团总经理 Mark Roeloffzen 说。

他补充道：“未来，我们还将覆盖高性能元件领域的外延片生产的增值阶段。对于这一重要里程碑，我们知道Aixtron是Nexperia的正确合作伙伴。"

Aixtron表示，其最新一代行星式反应器专为满足 SiC 电力电子器件的极高要求而设计。该系统可确保晶圆上外延层具有必要的优良品质，因此在生产 SiC 器件方面已获得 SiC 市场领导者的认可。

“Nexperia 正适时将自己定位于半导体行业最令人兴奋的增长市场之一。我们很高兴 Nexperia选择我们作为合作伙伴，迈出了进入未来新市场的这一重要战略步骤。”Aixtron SE 首席执行官兼总裁 Felix Grawert 说，“SiC 和 GaN 材料类的性能特点和高效率，为节能、减少热量、减轻重量和减小系统尺寸提供了极具吸引力的潜力，从而降低了整体系统成本。”

“与基于硅的传统电力电子产品相比，SiC和GaN半导体在应用中具有更高的能源效率，从而对降低二氧化碳排放量有很大贡献。这些材料的特性决定了它们特别适用于电动汽车及其充电站、数据中心或太阳能和风力发电厂等可再生能源领域。” Grawert 补充道。

今年年初，Nexperia 已经启动了一项重要的投资计划，以扩大其生产能力，并在全球范围内进行研发。作为其全球增长战略的一部分，今年在欧洲的计划投资包括提高生产效率以及在其位于汉堡、曼彻斯特和纽波特的欧洲晶圆厂实施新的 200mm 技术。在汉堡，该公司正在投资新技术，以扩展其“宽带隙” SiC功率器件产品。

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