Navitas助力小米的超级快充

选择第 3 代 GaN 电源 IC 以支持新的超快移动充电类别

Navita半导体公司公布了其采用 GaNSense 技术的 GaNFast 电源 IC 如何用于为小米的新款 Note 11 Pro+ 智能手机超快充电的详细信息。

小米先进的电源管理和石墨烯锂离子电池技术允许超快充电，120W​​ 功率可在 17 分钟内将 4,500 mAhr 电池从 0% 充电至 100%。

Navitas 的 GaNFast 电源 IC 集成了 GaN 电源、GaN 驱动、保护和控制。最新的 GaNSense 技术据称可再节能 10%，此外还包括自主系统参数传感和高速保护功能，以实现高可靠性。 GaNSense 技术使 GaN 电源 IC 能够在不到 30 ns 的时间内进行检测和保护。

“我们一直关注行业的新发展，很高兴能与Navitas这样专注于技术创新的公司合作。使用先进的GaN技术，为我们的小米粉丝提供更多、更智能的产品，我们的120W超快充电技术可以快速进入大众市场。”小米公司总裁兼合伙人Xiang Wang在新品发布会上表示。

小米 120W 尺寸为 55 x 55 x 28.4 毫米（86 cc），重 138 克，功率密度达到行业领先水平 1.4 W/cc。 120W充电器使用了两个采用GaNSense技术的NV6134 GaNFast电源IC；一个在前端升压功率因数校正 (PFC) 部分，另一个在下游高频准谐振 (HFQR) DC-DC 级，使用高速、薄型平面变压器。

“这是一个令人难以置信的新行业发展，它将重新定义全球消费者的充电体验，”Navitas中国副总裁兼总经理charles Zha说。 “这些超快速充电器要求每个充电器的 GaN 含量增加一倍，这当然使 Navitas 的收入机会翻了一番。根据我们的估计，我们预计这种超快速充电器类别在未来几年内将占移动充电器中 GaN 潜力的一半。”

Navitas 于 2021 年 11 月 14 日在上海举行的中国电源学会 (CPSS) 会议上推出了其 GaNSense 技术。

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