新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件

美高森美推出新系列宽带塑封和裸片GaAs MMIC器件

从DC至27 GHz提供高性能表现   扩展MMIC产品组合

新产品已在6月6至8日举行的IEEE国际微波研讨会展出

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出新系列宽带塑封和单片微波集成电路(MMIC)器件。新产品扩充了不断增长的高性能宽带MMIC产品组合，包括四个塑封低噪声放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3；一个宽带功率放大器(PA)芯片MMA053AA；以及两个塑封开关MMS006PP3和MMS008PP3。新的MMIC产品已于6月6至8日在作为微波周2017的一部分的夏威夷火奴鲁鲁IEEE国际微波研讨会(IMS2017)上展示。

新封装的放大器包括两个新的分布式LNA(MMA040PP5和MMA041PP5)，在从DC至27GHz的更宽频率的表现优于竞争器件，具有17 dB的更高增益，OIP3为35 dBm。这些器件封装在小型5mm塑料QFN封装中，是尺寸受限应用的理想选择。另外两个宽带LNA(MMA043PP4和MMA044PP3)可提供从0.5至18GHz的极低噪声系数(NF)，典型NF低于2dB，且带缘不超过2.5dB。

与竞争器件相比，两个新的宽带GaAs开关(MMS006PP3和MMS008PPS)改善了从DC至20GHz较宽频率范围的插入损耗和隔离特性。这些器件采用3mm塑料QFN封装，是满足尺寸受限应用高性能要求的理想选择。这些器件仅需要最少的片外控制逻辑，可简化系统级集成。

新发布的宽带PA芯片(MMA053AA)从DC至8GHz可保持17dB的平坦增益和35dBm的高OIP3，超过了竞争器件的性能。凭借具有竞争力的定价，客户可以利用所有这些器件的领先性能，以最小的DC功耗满足苛刻系统和模块布局要求。

美高森美射频/微波分立产品事业部战略营销总监Kevin Harrington表示：“我们推出各种新产品，代表美高森美在加强MMIC产品组合方面的重大投资，同时继续满足客户的总体要求。我们将继续投资并扩大尖端MMIC器件产品组合，我们致力于成为一家为客户提供卓越性能MMIC产品，并且值得长远信赖的供应商。”

美高森美的新MMIC宽带LNA、分布式宽带MMIC功率放大器和宽带MMIC开关非常适合航空航天、国防和工业市场的各种前端信号链应用，包括测试与测量、电子战(EW)/电子对抗/电子反对抗、高线性微波无线电和无人驾驶飞行器(UAV)及其他军事通信应用。全球市场研究和咨询公司Strategy Analytics估计，到2019年，GaAs MMIC在EW、雷达和微波通信市场的销售额将达5亿美元。

新MMIC器件的主要特性包括：

作为MMIC产品的领导者，美高森美不断扩大其产品组合，覆盖DC至65 GHz频率范围，并瞄准广泛的应用，包括电子战、雷达、测试和测量仪器仪表，以及微波通信。这些新产品建立在高性能宽带MMIC放大器、控制产品、预分频器，以及相位频率检测器等不断增加的产品组合基础之上，伴随进一步加强美高森美MMIC产品的未来高性能产品开发计划，能够确保客户满足非常专门和复杂的MMIC要求。