上海大革智能科技有限公司打造 产业化项目

面对全球日益严苛的能效要求，节能减排已成为现今电子产品不可忽略的重要环节；传统以硅为材料的功率半导体，正逐渐面临发展瓶颈，而具有比硅更低导通电阻及更高切换速度的 （SiC）功率器件以其优异的高耐压、低损耗、高导热率等优异性能，有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。

（SiC）作为功率器件的能量损耗只有硅（Si）器件的功率50%，发热量也只有硅（Si）器件的50%；且有更高的电流密度。在相同功率等级下， （SiC）功率模块的体积显著小于硅（Si）功率模块,以智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)为例，利用 （SiC）功率器件，其模块体积可缩小至硅（Si）功率模块的1/3～2/3。

《中国制造 2025》是我国实施制造强国战略第一个十年的行动纲领，其中提出，要以智能制造为突破口和主攻方向。以 （SiC）为代表的宽禁带半导体电力电子器件制造成套工艺与装备，作为作为电子领域的智能制造得到了国家重点的关注。

上海大革智能科技有限公司，对比当前德国、美国、俄罗斯、日本多家企业的 长晶技术及设备制造厂家。选定与日本日新技研株式会社合作，研发 PVT（升华法），HTCVD（高温气相沉积法）制造6寸 4H和半绝缘晶体。

日新技研株式会社是拥有40多年制造历史的企业，主要业务领域包含：合成晶体设备（ 晶体、铌酸锂晶体、碳酸锂晶体、氧化镓晶体等）；高周波电源；电子枪。在日本的大多数半导体企业都是日新技研服务的客户。日新技研在 长晶设备方面，PVT（升华法），HTCVD（高温气相沉积法），LPE（液相法）的 长晶设备在日本国内均有销售实绩。同时，日新技研企业内部也掌握了相关的 长晶参数，为上海大革的 技术转移到中国大陆打下了良好的数据基础。

上海大革智能科技有限公司，作为日新技研设备的中国地区销售代理，同时又获得了日新技研长晶设备在中国大陆制造的授权。 上海大革整合了国内晶体合成领域的专家，启动 长晶项目。同时将结合国内多家投资公司，建立一个规模10亿人民币的 产业基金，用于 晶体及下游外延，器件产业的投资。上海大革正在筹备建立的合作 长晶实验室，预计于2016年底启动。实验室致力于研发高质量大尺寸 长晶技术，最终目标实现长晶设备和制造工艺的推广和销售。

上海大革利用自身作为多年从事中日半导体材料贸易的背景，已经与日本功率半导体器件厂家建立了良好的合作关系，在下一阶段将积极推动 材料的后续产业，力争实现 全产业链的国产化。

目前，国内多家产业投资公司与地方政府，已经通过多种渠道向上海大革提出邀约，希望能够建立 产业化基地。相信在国家的支持和推动下，结合多方的努力， 作为第三代半导体材料的代表将在中国蓬勃发展、领跑世界。