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中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布其MOCVD设备系列喜迎又一里程碑：全球第500台MOCVD设备顺利付运国内一家专业从事LED外延片和芯片的研发生产制造商。 安森美和Ride Vision合作，为摩托车骑行者提供先进... 2022-10-27
安森美(onsemi)，宣布与以色列的Ride Vision合作，为摩托车骑行者开发先进的安全方案。Ride Vision面向摩托车的领先行业的避撞技术（以下简称“CAT”）把机器视觉与人工智能（AI）相结合，并基于... Samco推出等离子增强ALD系统 2022-10-26
Samco是半导体及相关行业和学术蚀刻、沉积和表面处理设备制造商，推出了新的等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统“AD-800LP”。该系统的主要目标是为 （SiC）和氮化镓（GaN）材料的下一代功... GaN IC缩小电机驱动器并加快eMobility、电动工具、... 2022-10-25
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9176。这是一款三相BLDC电机驱动逆变器，采用EPC23102 ePower™ 功率级GaN IC，内含栅极驱动器功能和两个具有5.2 mΩ典型导通电阻的GaN FET。 Melexis 发布车用 LED 驱动芯片 MLX81143，助力实... 2022-10-24
Melexis 宣布推出 LED 驱动芯片 MLX81143，为 MeLiBu® 产品系列再添新成员。该产品集成 21 颗 LED 恒流源，并可改进整个系统的电源管理。MLX81143 具有非常广泛的的调光范围，无论是白天还是... ST在西西里制造SiC衬底 2022-10-24
STMicroelectronics将在意大利建立一个集成的SiC衬底制造工厂，以支持ST客户在汽车和工业应用中对SiC器件日益增长的需求，为正在向电气化过渡提供更高的效率。该工厂预计将于2023年开始生产，实现... Lumileds提高Luxeon Round的产量 2022-10-21
Lumileds提高了其 Luxeon 5050 Round LED 的光输出和效率。该LED于2016年10月首次推出，在4000K和70CRI时，其输出和效率提高了14%，达到693流明和178流明/瓦。此外，根据Lumileds的说法，该产品组... 再创不凡，未来可期——牛津仪器上海办公室扩建落... 2022-10-21
金风送爽，高朋云集。10月20日，牛津仪器上海办公室扩建落成暨中国总部成立庆典仪式成功举办。牛津仪器中国区总裁何峻先生、英国驻上海总领事馆代理总领事 Andrew McAllister先生、上海徐汇区虹梅... IQE宣布与MICLEDI合作 2022-10-20
IQE plc已与MICLEDI Microdisplays建立合作关系，专注于microLED技术的大规模商业化。MICLEDI是一家无晶圆厂半导体设计和技术公司，开发高性能microLED显示器，主要专注于增强现实产品。 意法半导体CAN FD Light多像素驱动器助力下一代汽... 2022-10-20
意法半导体的L99LDLH32线性稳流器为使用轻量级 CAN FD Light 协议控制动态汽车照明提供了一个简便的集成解决方案。OLED 灯可以从很小的表面发射明亮、均匀和高对比度的光线，新驱动器与OLED完美匹... HexaTech投资100mm AlN衬底项目 2022-10-19
HexaTech宣布加速其直径为100毫米的单晶氮化铝（AlN）衬底产品开发计划。该计划在过去一年中一直处于开发的早期阶段，将在人力资源和资本支出方面进行大量投资，涉及从晶体生长到抛光的所有制造工... 艾迈斯欧司朗推出新型514nm激光器，比传统氩离子激... 2022-10-19
艾迈斯欧司朗发布首款可产生特定的514nm波长输出的商用半导体激光发射器Metal Can® PLT5 522FA_P-M12，应用于生命科学研究和诊断。 TactoTek和Ams Osram在汽车内饰照明方面合作 2022-10-18
芬兰公司TactoTek和Ams Osram正在携手合作，为车内提供纤薄、无缝集成的三维照明结构。两家公司已经开发出一款带有Ams Osram新型RGB侧视LED OSIRE E5515的演示器，由于TactoTek的模内结构电子（I... 纳微半导体：为所有市场提供氮化镓器件 2022-10-18
今年9月初，总部位于加州的GaN功率器件制造商Navitas发布了“GaNSense”， 这是一款半桥功率IC，该公司认为与分立氮化镓半桥相比，它能提供 "新水平 "的MHz开关频率，同时降低系统成本... Lakesemi推出1200V SiC全桥和整流器模块 2022-10-18
中国公司Lakesemi开发了新一代SiC全桥与整流模块——LSCT30PV120B9G。据说这种新的1200V模块具有88mΩ的低导通电阻和347nc的总栅极电荷。Lakesemi表示，热工程师将受益于其在1ms时为0.28°C / W的... IQE 宣布与 SK siltron 达成战略合作协议 2022-10-17
IQE plc（以下简称“IQE”或“集团”）全球领先的 晶圆产品和先进材料解决方案供应商，近日正式宣布与 SK siltron 达成战略合作协议，专注于 产品的研发及商业化。 中国高校16个团队入围GaN Systems杯设计大赛 2022-10-14
GaN Systems日前宣布，来自中国顶尖大学的16支队伍已入围第八届年度“GaN Systems杯”高校电力电子应用设计大赛。 Wolfspeed联合创始人兼首席技术官John Palmour博士... 2022-10-14
美国国家工程院（National Academy of Engineering）于近日召开 2022 年度大会，Wolfspeed, Inc.（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）联合创始人兼首席技术官 John Palmour 博士凭借其对于 ... 氮化铝薄膜大功率芯片电阻器电导率是传统衬底材料... 2022-10-12
TT Electronics宣布其TFHP系列薄膜高功率芯片电阻器。TFHP产品系列在单个电阻器中结合了高功率和高精度，利用了氮化铝（AIN）陶瓷衬底，其电导率几乎是芯片电阻器传统衬底材料氧化铝的六倍。 牛津仪器公司和ITRI开发新型GaN结构器件 2022-10-12
牛津仪器公司（Oxford Instruments）与其研究伙伴工业技术研究所（ITRI）共同开发了一种新的GaNHEMT器件架构，由嵌入AlGaN层的凹形绝缘栅结定义。这种新器件被称为GaN MISHEMT。
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