电子辐照公开激光降解机理

电子辐照公开激光降解机理 

向内生长镓空位导致GaN激光器的点缺陷

一个来自芬兰阿尔托大学的研究小组认为，电流诱导点缺陷的激活可能是GaN基激光二极管退化的原因。

研究人员进行了MOCVD生长氮化物器件和GaN样本的实验。他们用紧聚焦低能量电子束对样本表面进行照射产生的局部电流密度高达130 kA cm^-2，操作过程约比GaN基激光二极管高一个量级。

研究小组发现，通过5-20 keV的电子束照射减少了氮化物样本多达75%的综合带间（band-to-band）发光。研究结果是意想不到的，例如，因为GaN空位的阈值能量要高得多，氮约为150 keV，镓空位为500 keV。有必要进一步实验来阐明这一问题。

H. Nykänen et al, Applied Physics Letters 100 122105（2012）