Imec采用填孔方法开发新SiGe

采用填孔方法的简化技术降低了硅锗加工操作的昂贵成本和复杂性，有助于IC制造商降低成本和缩短周期时间。

      Imec开发出了一种采用CVD的SiGe优先沉积的新方法。该研究机构将这种方法进一步设计成为一种沟道变窄的创新技术，可以仅通过沉积填孔，而不需要光刻/刻蚀以及随后的化学机械研磨（CMP）。

      这种技术为减少工艺操作次数提供了一个途径，从而可降低集成电路的制造成本。

      异质性集成的功能模块（例如模拟CMOS或MEMS）可能需要高深宽比的深沟道。这些通常是借助光刻和等离子刻蚀工艺来实现的。变窄沟道通常是采用填充材料的方法，然后选择性刻蚀填充的材料，以达到预期的沟道宽度。但这种技术需要昂贵和复杂的光刻技术和等离子刻蚀处理。

      由于存在孔洞，传统的互连级填充技术要求用额外的CMP步骤实现表面平坦化。这些额外的刻蚀和平坦化过程非常复杂，增加降低良率的缺陷，成本高昂。因此，寻找不需要复杂的光刻和刻蚀实现沟道变窄，以及CMP处理填孔的替代方法是减少制造过程中操作次数，因而节省制造成本的一种可行方式。

      Imec最近发明了一种利用CVD优先沉积掺硼硅锗的新方法。优先沉积是通过用CF4 RF等离子体预处理衬底实现的，与SiGe衬底相比，这可以增加SiGe在SiO2衬底上沉积的聚结时间。聚结时间是一个成核层在衬底表面完全形成并开始连续SiGe沉积之前所需的时间。

      

      这种效果是由于在SiO2衬底增加了C和F，这就大大降低了在潜伏期所形成的晶粒表面密度。CF4前处理和CVD沉积可以在同一个处理室中按顺序执行，而无需破坏真空，或分别在不同的处理室或设备执行。

      Imec已经使用这种方法开发了用于沟道变窄和填孔的纯沉积技术。这些简化的技术可以降低昂贵成本和加工操作的复杂性。Imec表示，它已经成功地展示了这些技术的可行性，与常规方法的沟道变窄和填孔相比，采用这些技术将实现不太复杂的工艺。这将有助于IC制造商通过减少加工操作改善成本和周期时间。