博世加快 芯片生产

Rebecca Pool 报道称，随着 SiC 芯片从其位于德国的罗伊特林根（Reutlingen）工厂流出，博世坚定的希望引领电动汽车市场。

为应对日益活跃的 SiC 器件市场，总部位于德国的博世已制定计划，开始批量生产其 SiC 功率半导体。作为 2021 年 12 月公告的一部分，博世董事会成员 Harald Kroger 表示：“ 半导体的未来是光明的。我们希望成为生产用于电动汽车的 SiC 芯片的全球领导者。”

正如工程和技术重量级公司汽车电子部门高级副总裁Ralf Bornefeld 告诉《 》 （Compound Semiconductor）的那样：“这很简单。我们开发这项技术已经很长时间了，现在已经准备好进入市场——客户信任我们在汽车领域的历史并希望使用我们的芯片。”

博世汽车电子高级副总裁 Ralf Bornefeld。 [博世]

十多年前，博世开始研究如何制造 半导体，继其在硅基 MEMS 传感器方面取得成功后，将目光投向了具有垂直结构的 SiC 沟槽 MOSFETs。在这里，已经开发了一种高深宽比等离子体蚀刻工艺，称为Bosch工艺，用于在晶圆中形成深、陡边的孔和沟槽。

快速发展到今天，博世已将该技术应用到了SiC上，Bornefeld 坚信公司的沟槽 MOSFET 将在竞争对手的平面器件上占据优势。 “现在的趋势是缩小元胞设计，并节省 面积，从而降低成本——因此我们从一开始就使用了这项技术，”他说。

博世的目标市场是电动汽车，该公司打算制造用于牵引逆变器、车载充电和 DC-DC 转换应用的器件。 Bornefeld 表示，由于高功率和高电压运行，以及牵引逆变所需的高半导体数量，这种应用对 SiC 半导体具有巨大的吸引力。

尽管存在GaN基器件的竞争，但博世高管同样相信 将在车载充电和 DC-DC 转换方面发挥强大作用。在谈到车载充电时，他强调了市场如何转向快速充电，这可能需要高压电池组（800 V 范围内） - 与 1200V SiC器件一起运行。 “如果这种趋势持续下去，我认为氮化镓在可预见的未来不会成为一项具有竞争力的技术，”他说。

尽管如此，Bornefeld 证实博世在 GaN 领域也很活跃，并且有一些还处于早期阶段的想法。与此同时，所有人的目光都集中在该公司罗伊特林根晶圆厂的最新活动上，该晶圆厂自 2021 年初以来一直在生产用于客户验证的 SiC 芯片，目前正在扩大该工厂的洁净室空间。

更大的晶圆尺寸

除了扩张之外，硅芯片生产正在从罗伊特林根（Reutlingen）转移到博世最近在德累斯顿（Dresden）开设的 300 毫米硅晶圆工厂，正如 Bornefeld 强调的那样，这是为 SiC 制造腾出了空间，并从 150 毫米晶圆过渡到 200 毫米晶圆。 “我们已经开始在生产线上运行 200 毫米 晶圆，”他说。 “我不能确切地说将何时进行晶圆过渡，但有可能在 2024 年到 2026 年之间。”

德国罗伊特林根（Reutlingen）的 SiC 芯片生产。 [博世]

那么博世现在呢？该公司目前正在领导由欧盟资助的 8900 万欧元的转型项目——“值得信赖的欧洲 SiC 价值链，打造更绿色的经济”。这 34家组织的目标是为各种应用中的SiC 电力电子器件建立一个具有竞争力的欧洲供应链，这些应用包括工业驱动、电力转换、可再生能源，当然还有电动汽车。

“ 是一项核心技术，世界上每个地区都将其视为重要技术，”Bornefeld 说。 “总的来说，我倾向于公开市场……但考虑到我们有时会看到的地缘政治紧张局势，欧洲可以充当我所说的‘中立区’。”

“此外，拥有完整的价值链应该会让欧洲变得更强大，”他补充道。

当然，750 V 和 1200 V SiC MOSFET 的生产仍在快速发展，该公司一直在开发下一代 SiC 芯片。 Bornefeld 证实，未来的 MOSFET 将基于其久经考验的垂直芯片架构，即沟槽 MOSFET，但这些较小的器件将“以不同的方式构造”。

“我们正在为下一代以及之后的一代开发技术，”他说。“关于如何让我们的 技术在一个长期、成功的未来持续下去，我们有很多想法。”

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